申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810289A

主分类号：H01L31/113

分类号：H01L31/113;H01L31/028;H01L31/18;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提供一种光电晶体管及其制备方法，属于显示技术领域。本公开的光电晶体管，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极、源极、漏极、半导体有源层和光敏层；所述源极电连接所述半导体有源层的源极接触区；所述漏极电连接所述半导体有源层的漏极接触区；所述栅极和所述光敏层分别位于所述半导体有源层在所述衬底基板厚度方向上的两相对侧；其中，所述光敏层与所述半导体有源层的沟道区至少部分接触，且所述光敏层为碳纳米管。

主权项：1.一种光电晶体管，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极、源极、漏极、半导体有源层和光敏层；所述源极电连接所述半导体有源层的源极接触区；所述漏极电连接所述半导体有源层的漏极接触区；所述栅极和所述光敏层分别位于所述半导体有源层在所述衬底基板厚度方向上的两相对侧；其中，所述光敏层与所述半导体有源层的沟道区至少部分接触，且所述光敏层为碳纳米管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 光电晶体管及其制备方法

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