申请/专利权人:嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日:2022-09-30
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810311A
主分类号:H01L31/20
分类号:H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/075
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本发明提供一种异质结电池及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤:1对沉积有透明导电层的硅片进行表面处理,形成金属接触改善层;2在金属接触改善层远离硅片的一侧制备电极,得到所述异质结电池;所述表面处理的方法包括紫外光处理和或臭氧处理。本发明中,通过对透明导电层进行表面处理,降低了电极与透明导电层之间的接触电阻,提高了异质结电池的性能。
主权项:1.一种异质结电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:1对沉积有透明导电层的硅片进行表面处理,形成金属接触改善层;2在金属接触改善层远离硅片的一侧制备电极,得到所述异质结电池;所述表面处理的方法包括紫外光处理和或臭氧处理。
全文数据:
权利要求:
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