申请/专利权人：弘元新材料(徐州)有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810069A

主分类号：H01L21/223

分类号：H01L21/223;C01B35/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及硼扩散技术领域，具体为一种低温硼扩散实现方法，包括以下步骤：S1、准备硅基片并对硅基片进行清洗；S2、将硅基片放置在反应腔室中并激活腔室；S3、预热硅基片；S4、加热；S5、供气并激光分解硼烷，促进硼原子扩散到硅基片内部；S6、冷却并取出硅基片。本发明通过将清洗后的硅基片放入反应腔室，并对硅基片进行预热，激活硅基片表面的反应活性，随后将温度快速加热为后续的硼扩散反应创造条件，将硼烷气体输入到反应腔室中，借助激光束的光子能量激发和促进化学气相反应，使硼烷分解成可扩散的硼原子沉积在硅基片表面，与硅基片表面上的活性位点发生反应，并扩散到基底内部，形成硼层。

主权项：1.一种低温硼扩散实现方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备硅基片并对硅基片进行清洗；S2、将硅基片放置在反应腔室中并激活腔室；S3、预热硅基片；S4、加热；S5、供气并激光分解硼烷，促进硼原子扩散到硅基片内部；S6、冷却并取出硅基片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 弘元新材料(徐州)有限公司 一种低温硼扩散实现方法

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