申请/专利权人：浙江求是半导体设备有限公司

申请日：2024-03-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802582A

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;C30B25/02;F27D25/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种外延炉清洗方法和N型SiC的制备方法，该外延炉的清洗方法包括以下步骤：向外延炉的反应腔室内通入ClF3和惰性气体的混合气体第一预设时长，然后用惰性气体对反应腔室进行气体置换；升高反应腔室的温度，向反应腔室内通入载有NH3或O2的气体第二预设时长，然后用惰性气体对反应腔室进行气体置换并降温；循环上述步骤直至反应腔室内壁的SiC和或氮化物被去除，用惰性气体对反应腔室进行气体置换。该外延炉清洗方法能够完全去除反应腔室内沉积的碳化硅和氮化物，避免在N型SiC的生长过程中出现背景记忆效应，使不同批次间N型SiC掺杂浓度均匀。

主权项：1.一种外延炉的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：向外延炉的反应腔室内通入ClF3和惰性气体的混合气体第一预设时长，然后用惰性气体对所述反应腔室进行气体置换；向所述反应腔室内通入载有NH3或O2的气体第二预设时长，然后用惰性气体对所述反应腔室进行气体置换并降温；循环上述步骤直至所述反应腔室内壁的SiC和或氮化物被去除，用惰性气体对所述反应腔室进行气体置换。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江求是半导体设备有限公司 外延炉清洗方法和N型SiC的制备方法

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