申请/专利权人：南京大学

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802466A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种Sc掺杂AlN铁电薄膜及其电容器的制备方法，包括以下几个步骤，第一步，首先进行n‑GaNAl2O3基片的清洗；第二步，用铝箔纸覆盖n‑GaNAl2O3基片，并在暴露处镀Pt层；第三步，取出n‑GaNAl2O3基片，将基片粘在样品台上置入溅射室；第四步，将n‑GaNAl2O3基片加热，溅射使靶材起辉，起辉后先降低溅射压强，通入反应气N2，预溅射；第五步，预溅射结束打开挡板，在基底表面沉积Sc掺杂AlN薄膜，溅射30min；第六步，在样品表面覆盖圆形掩膜板，固定在磁控溅射样品台上置入溅射室，在样品表面溅射形成圆形顶电极。本发明提出的反应磁控溅射制备Sc掺杂AlN铁电薄膜的方法制备的薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好；操作工艺简单、能耗低、无污染且易于实现工业化。

主权项：1.一种Sc掺杂AlN铁电薄膜及其电容器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下几个步骤：第一步，首先进行n-GaNAl2O3基片的清洗，通过无水乙醇超声清洗n-GaNAl2O3基片；第二步，用铝箔纸覆盖n-GaNAl2O3基片，然后暴露出n-GaNAl2O3基片一角，并在暴露处镀Pt层，作为半导体底电极的接触电极；第三步，取出n-GaNAl2O3基片，揭起铝箔纸并进行清洗，清洗完成之后，将n-GaNAl2O3基片粘在磁控溅射样品台上，并将样品台置入溅射室，本底真空抽至5×10-5mtorr；第四步，将n-GaNAl2O3基片加热到400℃，溅射压强设定为30mtorr，使靶材起辉，起辉后先降低溅射压强到1mtorr，通入反应气N2，预溅射5min；第五步，预溅射结束后打开挡板，在基底表面沉积Sc掺杂AlN薄膜，溅射30min后关闭挡板，停止加热，待样品在真空腔内自然冷却至室温后，取出样品；第六步，在样品表面覆盖直径为30μm的圆形掩膜板，固定在磁控溅射样品台上，将样品台置入溅射室，本底真空抽至5×10-5mtorr，溅射Pt靶10min，在样品表面溅射形成圆形顶电极，作为电容器金属顶电极，并用铁电测试仪测试薄膜的铁电性能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学 一种Sc掺杂AlN铁电薄膜及其电容器的制备方法

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