申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810234A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20220926 TW 111136316"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种影像传感器结构，包括基底、像素结构与深沟槽隔离结构。基底包括彼此相对的第一面与第二面。像素结构包括转移晶体管、感光元件与浮置扩散区。转移晶体管包括第一栅极。第一栅极设置在基底的第一面上。感光元件设置在基底中，且位于第一栅极的一侧。浮置扩散区设置在基底中，且位于第一栅极的另一侧。深沟槽隔离结构从基底的第二面延伸至基底中。浮置扩散区的俯视图案不重叠于深沟槽隔离结构的俯视图案。

主权项：1.一种影像传感器结构，包括：基底，包括彼此相对的第一面与第二面；像素结构，包括：转移晶体管，包括第一栅极，其中所述第一栅极设置在所述基底的所述第一面上；感光元件，设置在所述基底中，且位于所述第一栅极的一侧；以及浮置扩散区，设置在所述基底中，且位于所述第一栅极的另一侧；以及深沟槽隔离结构，从所述基底的所述第二面延伸至所述基底中，其中所述浮置扩散区的俯视图案不重叠于所述深沟槽隔离结构的俯视图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 影像传感器结构

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