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【发明公布】一种本征型多孔低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法_安徽国风新材料技术有限公司;合肥国风先进基础材料科技有限公司;安徽国风新材料股份有限公司_202311761466.9 

申请/专利权人:安徽国风新材料技术有限公司;合肥国风先进基础材料科技有限公司;安徽国风新材料股份有限公司

申请日:2023-12-20

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117801355A

主分类号:C08J9/28

分类号:C08J9/28;C08G73/10;C08G65/333;C08L79/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明公开一种本征型多孔低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法,属于高分子材料领域;制备方法包括:将三胺化合物与二胺单体溶解分散于有机溶剂中;分批加入二酐单体,反应得到聚酰胺酸树脂溶液;将混合后的聚酰胺酸树脂溶液置于烘箱中,并施加真空进行消泡处理;将消泡后的聚酰胺酸树脂压入到模头,使树脂均匀的流涎至镜面钢带上,得到厚薄均匀的自支撑膜;将流涎后的自支撑膜牵引压入夹板,进入亚胺化炉,得到聚酰亚胺薄膜;通过引入具有三元支化结构的三胺化合物,增强聚酰亚胺薄膜的力学与热力学性能;并且三胺化合物本身含有的醚氧键在亚胺化温度下会发生断裂分解,从而在薄膜中形成十微米级别的小孔,能够有效改善薄膜的介电常数和损耗。

主权项:1.一种本征型多孔低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将三胺化合物与二胺单体溶解分散于有机溶剂中;分批加入二酐单体,反应得到聚酰胺酸树脂溶液;将混合后的聚酰胺酸树脂溶液置于烘箱中,并施加真空进行消泡处理;将消泡后的聚酰胺酸树脂压入到模头,使树脂均匀的流涎至镜面钢带上,得到厚薄均匀的自支撑膜;将流涎后的自支撑膜牵引压入夹板,进入亚胺化炉,加热得到聚酰亚胺薄膜;其中,三胺化合物的结构式为:

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽国风新材料技术有限公司;合肥国风先进基础材料科技有限公司;安徽国风新材料股份有限公司 一种本征型多孔低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

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