申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117812912A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种3D异质集成的动态随机存储器结构及其制造方法。结构包括由下至上层叠的衬底、第一层晶体管和第二层晶体管；所述第一层晶体管采用环绕栅极场效应晶体管，并且所述第一层晶体管中的沟道采用单晶半导体材料；所述第二层晶体管采用金属氧化物薄膜晶体管，并且所述第二层晶体管中的沟道采用非晶态和或多晶态半导体材料；所述第一层晶体管中栅极与所述第二层晶体管的源极或漏极互连。本发明将IGZO器件与Si基器件混合使用，既可以保证高保持时间，又能避免更多的读出错误，增大内存窗口。

主权项：1.3D异质集成的动态随机存储器结构，其特征在于，包括由下至上层叠的衬底、第一层晶体管和第二层晶体管；所述第一层晶体管采用环绕栅极场效应晶体管，并且所述第一层晶体管中的沟道采用单晶半导体材料；所述第二层晶体管采用金属氧化物薄膜晶体管，并且所述第二层晶体管中的沟道采用非晶态和或多晶态半导体材料；所述第一层晶体管中栅极与所述第二层晶体管的源极或漏极互连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 3D异质集成的动态随机存储器结构及其制造方法

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