申请/专利权人：泉州市三安集成电路有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117812986A

主分类号：H10N30/01

分类号：H10N30/01;H03H9/02;H03H9/64;H10N30/853

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种压电晶片及其制作方法、弹性波装置，涉及半导体技术领域。该该压电晶片的制作方法包括：对压电晶体进行切片处理，以得到压电晶片；对压电晶片进行第一次还原处理；对压电晶片进行氧化处理；对压电晶片进行第二次还原处理，使得压电晶片的DE值小于或等于3，其中，DE值用于表征压电晶片的片内均匀性，DE值通过如下公式计算得到：其中，从压电晶片的中心区域和边缘区域取几个均匀分布的点检测色度L，其中Lmax为上述多个点的L值中的最大值，Lmin为上述多个点的L值中的最小值。该制作方法能够有效改善压电晶片的黑化均匀性，避免因压电晶片的光刻效果差对后续电极的制作造成影响。

主权项：1.一种压电晶片的制作方法，其特征在于，该方法包括：对压电晶体进行切片处理，以得到压电晶片；对所述压电晶片进行第一次还原处理；对所述压电晶片进行氧化处理；对所述压电晶片进行第二次还原处理，使得所述压电晶片的DE值小于或等于3，其中，所述DE值用于表征所述压电晶片的片内均匀性，所述DE值通过如下公式计算得到： 其中，从所述压电晶片的中心区域和边缘区域取几个均匀分布的点检测色度L，其中Lmax为多个点的L值中的最大值，Lmin为上述多个点的L值中的最小值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州市三安集成电路有限公司 压电晶片及其制作方法、弹性波装置

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