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【发明公布】红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片_中国科学院半导体研究所_202311861694.3 

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117810287A

主分类号:H01L31/103

分类号:H01L31/103;H01L27/146

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本公开提供一种红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片。红外探测器包括:依次叠加的衬底,第一红外量子点层,第一介质层和第二红外量子点层;第一电极和第二电极;其中,第一电极与第二电极设置于第一红外量子点层的同一侧或相对侧,且第一电极与衬底相接触;第一红外量子点层内设置有第一量子点,第二红外量子点层内设置有第二量子点;第一量子点与第二量子点均用于吸收红外光;以及第一量子点的尺寸大于第二量子点的尺寸。本公开的红外探测器结构简单小巧,易于大规模集成,可以用于制作光谱芯片和多色成像芯片。

主权项:1.一种红外探测器,其特征在于,包括:依次叠加的衬底,第一红外量子点层,第一介质层和第二红外量子点层;第一电极和第二电极;其中,所述第一电极与所述第二电极设置于所述第一红外量子点层的同一侧或相对侧,且所述第一电极与所述衬底相接触;所述第一红外量子点层内设置有第一量子点,所述第二红外量子点层内设置有第二量子点;所述第一量子点与所述第二量子点均用于吸收红外光;以及所述第一量子点的尺寸大于所述第二量子点的尺寸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院半导体研究所 红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片

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