申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802578A

主分类号：C30B25/14

分类号：C30B25/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提供了一种用于半导体外延设备尾气系统的气体运输结构，包括第一管路组件，用于将生长室所输出的气体输入至过滤罐中；第二管路组件，用于将过滤罐所输出的气体输入至真空泵中；第三管路组件，用于将真空泵处理后的气体输出至并联双磷阱中；第四管路组件，用于将并联双磷阱处理后的气体输出至外部，其中，第一管路组件、第二管路组件、第三管路组件和第四管路组件包括多段排气管道和多个排气阀门，多段排气管道中与气体接触的管道内壁的通径大小一致，并且与多个选定规格排气阀门中与气体接触的阀门内壁的通径大小相同；以及管路加热结构，包括电阻加热包，覆盖在多段排气管道和多个排气阀门的外表面。

主权项：1.一种用于半导体外延设备尾气系统的气体运输结构，其特征在于，包括：第一管路组件2，用于将生长室1所输出的气体输入至过滤罐3中；第二管路组件4，用于将过滤罐3所输出的气体输入至真空泵5中；第三管路组件6，用于将真空泵5处理后的气体输出至并联双磷阱7中；第四管路组件8，用于将并联双磷阱7处理后的气体输出至外部，其中，所述第一管路组件2、第二管路组件4、第三管路组件6和所述第四管路组件8包括多段排气管道和多个排气阀门，所述多段排气管道中与气体接触的管道内壁的通径大小一致，并且与所述多个排气阀门中与气体接触的阀门内壁的通径大小相同，用以保证气体在所述第一管路组件2、第二管路组件4、第三管路组件6和第四管路组件8中输送过程中不存在湍流；以及管路加热结构，包括电阻加热包90，所述电阻加热包90覆盖在所述多段排气管道和多个选定规格排气阀门的外表面，用以保证所述第一管路组件2、第二管路组件4、第三管路组件6和第四管路组件8的温度保持在第一范围内，所述第一范围包括150°到160°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 用于半导体外延设备尾气系统的气体运输结构及其应用

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