申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117804728A

主分类号：G01M10/00

分类号：G01M10/00;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种浸没流场扰动力测量装置及测量方法。装置包括：模拟镜片组件、模拟镜片连接件以及控制模拟镜片组件上下移动的模拟镜片位置控制单元，基座下端面固定有浸没单元机构和浸没单元，浸没单元安装至环绕模拟镜片组件径向外侧以及位于模拟硅片机构上方的位置，模拟硅片位置控制单元控制模拟硅片组件上下移动，模拟硅片机构底面有带动模拟硅片机构水平移动的运动台。方法包括：通过扰动力观测算法模拟镜片组件位移、音圈电机出力等参数来分析评估流场对模拟镜片组件的扰动力。本发明解决直接测量扰动力精度的影响，单音圈电机的扰动力评估方案解决了多点驱动与测量时多轴同步延时、力学反解等带来的扰动力测量精度的影响。

主权项：1.一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：包括基座420、框架机构400、模拟镜片机构、模拟硅片机构、运动台230和浸没单元机构；模拟镜片机构包括模拟镜片组件300、模拟镜片连接件320以及连接于模拟镜片组件300的、且控制模拟镜片组件300上下移动的模拟镜片位置控制单元310，模拟镜片组件300和模拟镜片位置控制单元310均通过模拟镜片连接件320固定在的框架机构400的下方，框架机构400的底面固定装有基座420，基座420的下端面固定有浸没单元机构，浸没单元机构的下端面固定有浸没单元100，浸没单元100安装至环绕模拟镜片组件300径向外侧以及位于模拟硅片机构上方的位置，浸没单元100分别与模拟镜片组件300和模拟硅片机构保持间隙；模拟硅片机构包括模拟硅片组件200、连接于模拟硅片组件200且控制模拟硅片组件200上下移动的模拟硅片位置控制单元210；模拟硅片机构的底面固定有带动模拟硅片机构水平移动的运动台230。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种浸没流场扰动力测量装置及测量方法

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