申请/专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业多晶硅有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海亚洲硅业硅材料有限公司;海东红狮半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司

申请日：2023-12-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117797745A

主分类号：B01J19/00

分类号：B01J19/00;C30B28/14;C30B29/06;B01J4/00;B01J4/02;B01F33/80;B01F33/82;B01F35/71;B01F35/75;B01F35/80;B01D1/00;B01F23/70;C01B33/035

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种氯硅烷低温汽化的多晶硅生产系统及工艺，属于多晶硅生产领域。多晶硅生产系统包括氢气输送管、氯硅烷输送管、第一混合器和汽化器。其中，氢气输送管一端与氢气源连接，另一端分叉为第一支管和第二支管，氯硅烷输送管一端与储存容器连接，储存容器中存放有液态的高纯三氯氢硅。第一混合器包括第一出气口和两个进气口，其中一个进气口与上述第一支管连接，另一个进气口与氯硅烷输送管连接。为了便于控制第一混合器的进料比及进料量，第一支管和氯硅烷输送管上均设置有控制阀。利用上述系统及工艺来生产多晶硅，其能够提高多晶硅整体的沉积效率，并降低雾化的概率。

主权项：1.一种氯硅烷低温汽化的多晶硅生产系统，其特征在于，包括：氢气输送管，所述氢气输送管用于输送氢气；氯硅烷输送管，所述氯硅烷输送管用于输送液态氯硅烷，所述氯硅烷为三氯氢硅或三氯氢硅和二氯二氢硅的混合物；第一混合器，所述第一混合器包括第一出气口和两个进气口，其中一个进气口与所述氢气输送管连接，另一个进气口与所述氯硅烷输送管连接；汽化器，所述汽化器的进气口与所述混合器的出气口连接，所述汽化器的出气口连接有第一过热器，所述第一过热器用于将从第一混合器出来的混合气体加热到第一预设温度以上，避免含有氢气的所述氯硅烷液化；所述第一过热器的出气口连接有第二过热器，所述第二过热器用于将从第一过热器出来的混合气体加热到第二预设温度以上，所述第二预设温度高于所述第一预设温度；第二混合器，所述第二混合器包括氢气进气管、低温进气管、高温进气管和第二出气口；所述氢气进气管与所述氢气输送管连接，所述低温进气管与所述第一过热器的出气口连接，所述高温进气管与所述第二过热器的出气口连接；所述氢气进气管、所述低温进气管和所述高温进气管上均设置有控制阀；还原炉，所述还原炉与所述第二出气口连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业多晶硅有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海亚洲硅业硅材料有限公司;海东红狮半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 一种氯硅烷低温汽化的多晶硅生产系统及工艺

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