申请/专利权人：全芯智造技术有限公司

申请日：2021-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114415475B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.05.20#实质审查的生效;2022.04.29#公开

摘要：一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端，所述方法包括：在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数。本发明可以提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。

主权项：1.一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法，其特征在于，包括：在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数；其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 全芯智造技术有限公司 掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD