申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117176521B

主分类号：H04L25/03

分类号：H04L25/03

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.12.22#实质审查的生效;2023.12.05#公开

摘要：本申请公开了一种两级级联判决器、判决反馈均衡器和有线接收机，提高了判决器的速度。该两级级联判决器的第一级电路为强臂判决器。第二级电路包括：四个PMOS管M9、M10、M18、M19以及三个NMOS管M17、M20、M21；其中，M9、M10、M18、M19的源极均接电源；M19、M18的栅极各自接强臂判决器的第一输出端MN和第二输出端MP；M17、M9、M10的栅极均接收时钟信号；M9、M18、M20的漏极以及M21的栅极均接第二级电路的第一输出端ON；M10、M19、M21的漏极以及M20的栅极均接第二级电路的第二输出端OP；M20、M21的源极以及M17的漏极连接在一起；M17的源极接地。

主权项：1.一种两级级联判决器，其特征在于：所述两级级联判决器的第一级电路为强臂判决器；所述两级级联判决器的第二级电路包括：PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20和NMOS管M21；其中，所述PMOS管M9的源极、所述PMOS管M10的源极、所述PMOS管M18的源极以及所述PMOS管M19的源极均接电源；所述PMOS管M19的栅极接所述强臂判决器的第一输出端MN；所述PMOS管M18的栅极接所述强臂判决器的第二输出端MP；所述NMOS管M17的栅极、所述PMOS管M9的栅极和所述PMOS管M10的栅极均接收时钟信号CLK；所述PMOS管M9的漏极、所述PMOS管M18的漏极、所述NMOS管M20的漏极以及所述NMOS管M21的栅极均接所述第二级电路的第一输出端ON；所述PMOS管M10的漏极、所述PMOS管M19的漏极、所述NMOS管M21的漏极以及所述NMOS管M20的栅极均接所述第二级电路的第二输出端OP；所述NMOS管M20的源极、所述NMOS管M21的源极以及所述NMOS管M17的漏极连接在一起；所述NMOS管M17的源极接地；所述强臂判决器包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15和NMOS管M16；其中，所述PMOS管M5的源极、所述PMOS管M13的源极、所述PMOS管M11的源极、所述PMOS管M7的源极、所述PMOS管M6的源极以及所述PMOS管M8的源极均接所述电源；所述PMOS管M5的栅极、所述PMOS管M6的栅极、所述PMOS管M7的栅极、所述PMOS管M8的栅极、所述NMOS管M15的栅极以及所述NMOS管M16的栅极均接收所述时钟信号CLK；所述PMOS管M5的漏极、所述PMOS管M13的漏极、所述NMOS管M14的漏极、所述PMOS管M11的栅极以及所述NMOS管M12的栅极均接强臂判决器的第一输出端MN；所述PMOS管M13的栅极、所述NMOS管M14的栅极、所述PMOS管M11的漏极以及所述PMOS管M7的漏极均接强臂判决器的第二输出端MP；所述PMOS管M6的漏极、所述NMOS管M14的源极、所述NMOS管M1的漏极以及所述NMOS管M4的漏极连接于一点N；所述NMOS管M12的源极、所述PMOS管M8的漏极、所述NMOS管M2的漏极以及所述NMOS管M3的漏极连接于一点P；所述NMOS管M3的栅极和所述NMOS管M4的栅极接强臂判决器的第一对差分输入端，用于接收基准电压Vref；所述NMOS管M1的栅极和所述NMOS管M2的栅极接强臂判决器的第二对差分输入端，用于接收差分输入信号；所述第二对差分输入端包括第一端VIP和第二端VIN，所述NMOS管M1的栅极接所述第一端VIP；所述NMOS管M2的栅极接所述第二端VIN；所述NMOS管M1的源极和所述NMOS管M3的源极接所述NMOS管M15的漏极；所述NMOS管M4的源极和所述NMOS管M2的源极接所述NMOS管M16的漏极；所述NMOS管M15的源极和所述NMOS管M16的源极均接地。

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权利要求：

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