申请/专利权人：东晶电子金华有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117549205B

主分类号：B24B29/02

分类号：B24B29/02;B24B7/22;B24B1/00;B24B49/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明公开了一种石英晶片的抛光方法，涉及石英晶片技术领域，本发明包括：步骤一、石英晶片历史信息获取、步骤二、石英晶片抛光质量分析、步骤三、目标石英晶片抛光方法选择、步骤四、目标石英晶片抛光、步骤五、目标石英晶片抛光质量分析和步骤六、目标石英晶片处理，本发明克服了现有技术中对石英晶片的平整性和外观缺陷的分析力度不够深入的缺陷，从而提高了石英晶片的质量分析的精确性，保障了目标石英晶片的抛光方法选择的参考性和价值性，确保后续石英晶片相关器件的性能和可靠性，本发明保障了目标石英晶片抛光方法选择的正确性，从而在一定程度上提高了目标石英晶片的抛光质量，保障目标石英晶片的性能和后续应用。

主权项：1.一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，包括：步骤一、石英晶片历史信息获取：从云数据库中获取各石英晶片的初始三维模型、特征信息、抛光方法和抛光后的三维模型，其中特征信息包括硬度、密度和热膨胀系数；步骤二、石英晶片抛光质量分析：依据各石英晶片的抛光后三维模型分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数；步骤三、目标石英晶片抛光方法选择：从云数据库中获取目标石英晶片的初始三维模型和特征信息，并据此分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数和物理特性相似评估系数，进而分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，并据此筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，从而依据各石英晶片对应的抛光质量评估系数获取目标石英晶片对应各匹配石英晶片的抛光质量评估系数，并筛选最大抛光质量评估系数对应的匹配石英晶片作为参照石英晶片，进而依据各石英晶片的抛光方法获取目标石英晶片对应参照石英晶片的抛光方法，从而得到目标石英晶片的目标抛光方法；步骤四、目标石英晶片抛光：按照目标石英晶片的目标抛光方法对目标石英晶片进行抛光，并对抛光后的目标石英晶片进行三维扫描，从而得到目标石英晶片抛光后的三维模型；步骤五、目标石英晶片抛光质量分析：依据目标石英晶片抛光后的三维模型分析目标石英晶片对应的抛光质量评估系数；步骤六、目标石英晶片处理：基于目标石英晶片对应的抛光质量评估系数进行相应预警。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东晶电子金华有限公司 一种石英晶片的抛光方法

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