申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-10-10

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111226316B

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35;H01L21/768;H01L21/28

优先权：["20171012 US 62/571,565","20181004 US 16/151,467"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2020.09.25#实质审查的生效;2020.06.02#公开

摘要：本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件诸如存储器器件等等的方法和材料。在一个实施方式中，存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料，其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中，存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或制造为硅化物材料。在另一个实施方式中，氮化硅材料用作在存储器层堆叠的含氧化物层和含硅层之间的界面层。

主权项：1.一种存储器器件制造方法，包括：在交替的绝缘体层和存储器单元层的堆叠中形成孔，其中所述绝缘体层包括设置在多个第一氧化物材料层之间的第二氧化物材料层；去除每个存储器单元层的与所述孔相邻的第一部分以形成多个第一空腔；通过执行各向同性氧化工艺来氧化每个存储器单元层的暴露部分来形成阻挡氧化物；在所述多个第一空腔中沉积电荷阱材料；去除每个存储器单元的第二部分以形成多个第二空腔；在形成所述阻挡氧化物之后，在所述第二空腔中的每个内形成控制栅极；以及在形成所述控制栅极之后，去除所述第二氧化物材料层以形成气隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于3D NAND可扩展性的多层堆叠

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