申请/专利权人：珠海一微半导体股份有限公司

申请日：2021-06-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113343319B

主分类号：G06F21/79

分类号：G06F21/79

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.10.22#著录事项变更;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开

摘要：本发明涉及一种FLASH的类型识别方法及类型识别系统，所述类型识别方法包括：步骤1、配置FLASH进入预设访问模式；步骤2、基于FLASH内置寄存器中设置的待测试的块保护配置位的相邻关系，分批次地对相应的块保护配置位进行读写测试；当每一批的块保护配置位在读写测试中都读取出对应块保护配置位上最新写入的一位二进制数时，确定FLASH的类型为当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型；其中，块保护配置位的相邻关系包括彼此相邻和互不相邻；其中，不同批的块保护配置位执行读写测试的时间点是不同的；待测试的块保护配置位是任意FLASH都设置的。既提高硬件兼容性，又保证FLASH的类型识别的正确性。

主权项：1.一种FLASH的类型识别方法，其特征在于，包括：步骤1、配置FLASH进入预设访问模式；步骤2、基于FLASH内置寄存器中设置的待测试的块保护配置位的相邻关系，分批次地对相应的块保护配置位进行读写测试；当每一批的块保护配置位在读写测试中都读取出对应块保护配置位上最新写入的一位二进制数时，确定FLASH的类型为当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型；其中，块保护配置位的相邻关系包括彼此相邻和互不相邻；其中，不同批的块保护配置位执行读写测试的时间点是不同的；待测试的块保护配置位是任意FLASH都设置的；所述步骤2的具体方法包括：在将互不相邻的两个待测试的块保护配置位设置为用于读写测试的一批块保护配置位、且将互不相邻的两个待测试的块保护配置位之间存在的块保护配置位设置为用于读写测试的另一批块保护配置位后，控制每一批的块保护配置位都连续进行两轮读写测试；其中，连续进行的两轮读写测试中，每一轮读写测试对同一个块保护配置位所写入的一位二进制数是不同的；每一批的块保护配置位在同一轮读写测试过程中，每一个待测试的块保护配置位都是在写操作中被写入为一位二进制数，再被读取出每个块保护配置位所存储的二进制数；若判断到每一批的块保护配置位在每一轮读写测试中都被读取出对应块保护配置位上最新写入的一位二进制数时，确定FLASH的类型为当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型，否则确定FLASH的类型不是当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型；所述步骤2的具体方法包括：在将彼此相邻的两个待测试的块保护配置位设置为用于读写测试的一批块保护配置位、且将同一对彼此相邻的两个待测试的块保护配置位中的其中一个块保护配置位设置为用于读写测试的另一批块保护配置位、且将同一对彼此相邻的两个待测试的块保护配置位中的另一个块保护配置位设置为用于读写测试的又一批块保护配置位后，控制每一批的块保护配置位都进行一轮读写测试，并在每一轮读写测试中对同一个块保护配置位只写入一种二进制数；其中，每一批的块保护配置位在同一轮读写测试过程中，每一个块保护配置位都是在写操作中被写入为一位二进制数，再被读取出每个块保护配置位所存储的二进制数；若判断到每一批的块保护配置位在每一轮读写测试中都被读取出对应块保护配置位上最新写入的一位二进制数时，确定FLASH的类型为当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型，否则确定FLASH的类型不是当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型。

全文数据：

权利要求：

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