申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司

申请日：2023-08-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116707477B

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.09.22#实质审查的生效;2023.09.05#公开

摘要：本申请提供一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法，包括：在压电层的第一表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极；在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极，形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器的第一钝化层；在压电层的第二表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第二电极，第二表面与第一表面相对；对形成的FBAR滤波装置进行射频性能测试；基于射频性能测试的结果，调整第一谐振器的第二电极的厚度；以及在第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第二电极，形成对应的第一谐振器的第二钝化层和第二谐振器的第二钝化层。RF性能测试的结果调整电极或钝化层的厚度，提高整个晶圆片的一致性。

主权项：1.一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法，其特征在于，FBAR滤波装置至少包括第一谐振器和第二谐振器；所述方法包括：在压电层的第一表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极；在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极，形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器的第一钝化层；在压电层的第二表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第二电极，第二表面与第一表面相对；对形成的FBAR滤波装置进行射频性能测试；基于射频性能测试的结果，调整第一谐振器的第二电极的厚度；和在第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第二电极，形成对应的第一谐振器的第二钝化层和第二谐振器的第二钝化层；基于FBAR滤波装置的目标性能参数来确定第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极的仿真目标厚度；其中，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极包括：形成第一谐振器的第一电极；其中，第一谐振器的第一电极的厚度大于第一谐振器的第一电极的仿真目标厚度；和形成第二谐振器的第一电极；其中，第二谐振器的第一电极的厚度等于第二谐振器的第一电极的仿真目标厚度；形成第一谐振器和第二谐振器的第二电极包括：形成第一谐振器和第二谐振器的第二电极；其中，第一谐振器的第二电极与第二谐振器的第二电极的厚度相同。

全文数据：

权利要求：

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