申请/专利权人：山东硅纳新材料科技有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117645301B

主分类号：C01B33/06

分类号：C01B33/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明提供一种高纯度亚微米级Mg2Si的制备方法，将硅粉和镁粉混合后在连续真空回转窑中进行反应，通过控制反应温度、反应时间、转速、真空度、填充量等条件，使硅粉和镁粉在较低温度下反应直接生成亚微米级的高纯度硅化镁，不需要二次破碎处理，安全高效；且制得的Mg2Si纯度高、粒径小，一次颗粒的平均粒径可达200‑800nm。本发明同时提供一种连续真空回转窑，设置三级真空系统、动静密封系统、多级真空密封进出料仓、升温区、保温区、降温区和冷却区四大温区，能够保证真空度为0.001‑10Pa时，炉体具备真空旋转烧结功能，消除了Mg2Si的喷料、过烧、不纯问题。本发明实现了高纯度亚微米级Mg2Si的连续生产，极大提高了生产效率，降低能耗，具有极大的市场价值。

主权项：1.一种高纯度亚微米级Mg2Si的制备方法，其特征在于，所述制备方法的具体步骤如下：步骤S1：将镁粉和硅粉按质量比1.72~1.85:1在混料机中进行混合，混合均匀后转移至连续真空回转窑的真空密封进料仓中；步骤S2：控制炉内混合料的最大填充量，将镁粉和硅粉的混合料通过螺旋进料输送至连续真空回转窑炉体中，在炉体保持旋转和真空条件下，物料经过升温区、保温区、降温区和冷却区，经过真空密封出料仓出料，此时产生的物料即为高纯度亚微米级Mg2Si；一次颗粒的粒径≤800nm，纯度≥98%；步骤S1中所述硅粉的粒径D50≤10μm，纯度≥98%；步骤S2中所述的升温区温度为300-400℃，运行1-2h；保温区温度为520-580℃，运行1-4h；降温区温度为300-400℃，运行1-3h；冷却区温度为80℃以下，运行1-3h；步骤S2中所述的连续真空回转窑的炉内的真空度为0.001-10Pa，炉管的转速为1-6rpm；所述连续真空回转窑的炉内混合料的最大填充量≤15%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东硅纳新材料科技有限公司 一种高纯度亚微米级Mg₂Si的制备方法及连续真空回转窑

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