申请/专利权人：日立能源有限公司

申请日：2020-04-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113728428B

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01L23/373;H01L23/498;H01L23/538

优先权：["20190514 EP 19174478.8"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.01.26#专利申请权的转移;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要：一种功率半导体模块10包括：主衬底12，该主衬底具有被分隔成导电区域24的主导电层18；功率半导体芯片22，其中每个功率半导体芯片22具有第一功率电极38、第二功率电极40和栅极电极42，其中每个功率半导体芯片22利用第一功率电极38结合到主导电层18，并且其中第一组36a的功率半导体芯片22经由第二功率电极40并联连接，并且第二组36b的功率半导体芯片22经由第二功率电极40并联连接；电连接到第一组36a中的功率半导体芯片22的第一电极38、第二电极40或栅极电极42中的一个的第一控制导体62a、64a，以及电连接到第二组36b中的功率半导体芯片22的第一电极38、第二电极40或栅极电极42中的一个的第二控制导体62b、64b；第一绝缘层54和第一绝缘层54上的第一导电层46，其中第一控制导体的至少一部分由第一导电层的至少一部分58a，58b提供；以及第二绝缘层56和第二绝缘层56上的第二导电层48，其中第二控制导体56的至少一部分由第二导电层48的至少一部分60a，60b提供。主导电层18、第一绝缘层54、第一导电层46、第二绝缘层56和第二导电层48彼此叠置。

主权项：1.一种功率半导体模块10，包括：主衬底12，所述主衬底12具有被分隔成导电区域24的主导电层18；功率半导体芯片22，其中每个功率半导体芯片22具有第一功率电极38、第二功率电极40和栅极电极42，其中，每个功率半导体芯片22利用所述第一功率电极38结合到所述主导电层18，并且其中，第一组36a的功率半导体芯片22经由所述第二功率电极40并联连接，并且第二组36b的功率半导体芯片22经由所述第二功率电极40并联连接；第一绝缘层54和在所述第一绝缘层54上的第一导电层46；其中，所述第一导电层46提供电连接到所述第一组36a的所述栅极电极42的第一栅极导体区域58a和电连接到所述第一组36a的功率电极38，40的第一辅助发射极导体区域58b；第二绝缘层56和在所述第二绝缘层56上的第二导电层48；其中，所述第二导电层48提供电连接到所述第二组36b的所述栅极电极42的第二栅极导体区域60a和电连接到所述第二组36b的功率电极38，40的第二辅助发射极导体区域60b；其中，所述主导电层18、所述第一绝缘层54、所述第一导电层46、所述第二绝缘层56和所述第二导电层48相对于彼此叠置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日立能源有限公司 具有低电感栅极交叉的功率半导体模块

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