申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-09-10

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111162084B

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27;H10B41/30;H10B43/27;H10B43/30;H01L29/10

优先权：["20181107 KR 10-2018-0136009"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.10.15#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：一种垂直型存储器件包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极。垂直沟道结构包括：沿第一方向延伸的沟道；第一填充膜，部分地填充沟道的内部空间；第一衬层，在第一填充膜的上表面的至少一部分上并且在沟道的远离衬底延伸超过第一填充膜的上部内侧壁。第一衬层包括n型杂质。垂直沟道结构包括在第一衬层的至少一部分上的第二填充膜和在第二填充膜上并与第一衬层接触的焊盘。

主权项：1.一种垂直型存储器件，包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于所述衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极，其中所述垂直沟道结构包括：沿所述第一方向延伸的沟道，第一填充膜，部分地填充所述沟道的内部空间且包括绝缘材料，所述第一填充膜的上端低于所述沟道的上端，第一衬层，在所述第一填充膜的所述上端之上，覆盖所述第一填充膜的上表面的至少一部分，并且在所述沟道的远离所述衬底延伸超过所述第一填充膜的上部内侧壁上，其中所述第一衬层包括n型杂质，第二填充膜，在所述第一衬层的内部空间中且在所述第一衬层的至少一部分上，所述第二填充膜包括绝缘材料，和焊盘，在所述第二填充膜上并与所述第一衬层接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 垂直型存储器件

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