申请/专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司

申请日：2019-12-04

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113167942B

主分类号：G02B5/08

分类号：G02B5/08;G03F7/20

优先权：["20181207 DE 102018221191.4"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本发明涉及一种用于反射VUV波长范围内的辐射的光学元件4，包括：基板41；和反射涂层42，该反射涂层被施加到该基板41并且具有至少一个铝层43。将用于分解分子氢Ha的至少一个氢催化层45施加到铝层43上。本发明还涉及一种用于VUV波长范围的光学布置，包括：内部，在内部布置有至少一个光学元件；以及至少一个进气口，用于向内部供应气体。在本发明的一方面，如上所述地设计光学元件4，并且进气口用于向内部供应氢气。在本发明的另一方面，光学布置包括等离子体产生装置，该等离子体产生装置用于通过进气口将等离子体气体供应到内部，以在光学元件的光学表面的至少部分上产生大气压等离子体。

主权项：1.一种用于反射VUV波长范围内的辐射11、21的光学元件4，包括：基板41和施加到所述基板41并具有至少一个铝层43的反射涂层42，其特征在于，将用于分解分子氢H2的至少一个氢催化层45施加到所述铝层43上，其中，所述氢催化层45不完全覆盖所述铝层43。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 用于反射VUV辐射的光学元件和光学布置

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