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【发明授权】金属纳米线网络至导电聚合物中的集成_香港大学_202080071874.X 

申请/专利权人:香港大学

申请日:2020-10-16

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN114631155B

主分类号:H01B1/12

分类号:H01B1/12;H01B1/02;H01B13/00

优先权:["20191016 US 62/916193"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2022.07.01#实质审查的生效;2022.06.14#公开

摘要:制造金属纳米线:导电聚合物复合材料。通过在金属纳米线层上留下有机配体残留物的方法形成金属纳米线层。在支撑基底上形成导电聚合物膜。将金属纳米线层与导电聚合物膜集成以形成金属纳米线:导电聚合物复合材料。用包含金属离子源、至少一种酸和溶剂的反应溶液润湿所述金属纳米线:导电聚合物复合材料一段时间,该时间足以从金属纳米线层中去除所述有机配体残留物并且足以由所述金属离子源生长金属纳米粒子以在金属纳米线层中的两根或更多根纳米线彼此接触的接点处产生金属互连。纳米粒子生长后,从反应溶液中取出纳米线:导电聚合物复合材料并干燥。

主权项:1.一种将无配体金属纳米线网络和导电聚合物集成的方法,所述方法包括:通过在金属纳米线层上留下有机配体残留物的方法形成金属纳米线层,所述金属纳米线层包括两个或更多个纳米线彼此接触的多个结点;在支撑基底上形成导电聚合物膜;将所述金属纳米线层与所述导电聚合物膜集成以形成金属纳米线:导电聚合物复合材料;用包含金属离子源和至少一种酸的反应溶液润湿所述金属纳米线:导电聚合物复合材料持续足以从所述金属纳米线层去除所述有机配体残留物并且足以由所述金属离子源生长金属纳米粒子以在所述金属纳米线层中的所述两个或更多个纳米线彼此接触的结点处产生金属互连的时间段;从所述反应溶液中取出所述纳米线:导电聚合物复合材料;干燥所述纳米线:导电聚合物复合材料;其中,所述导电聚合物为(聚3,4-乙撑二氧噻吩聚苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS);所述金属纳米线层包括银纳米线,并且其中所述金属纳米粒子为银纳米粒子;所述反应溶液是包含溶解在水中的硝酸银、抗坏血酸和乙酸的水溶液;所述金属纳米线:导电聚合物复合材料通过与反应溶液的接触而从导电聚合物中选择性地去除PSS。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 香港大学 金属纳米线网络至导电聚合物中的集成

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