申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2020-03-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111404507B

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02;H03H9/19

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2020.08.04#实质审查的生效;2020.07.10#公开

摘要：本发明涉及晶体谐振器，特别是一种采用条形补偿膜应力补偿的晶体谐振器,其特征是：至少包括：晶体，所述的晶体为圆片形；与圆片形晶体同心且小于圆片形晶体的直径有一中心电极，中心电极镀膜在晶体的上下表面上；沿晶体的直径方向在中心电极的两侧有延伸层；两侧的延伸层各延伸至一个扇形面，扇形面的中心线与延伸层中心线重合；在中心电极上有补偿膜，补偿膜为长方形，补偿膜的长度方向与延伸层中心线垂直；长方形补偿膜长度方向与晶体片x轴方向一致。它提供了一种结构简单、体积更小、功耗更低、稳定度更高、成本较低的采用条形补偿膜应力补偿晶体谐振器。

主权项：1.一种采用条形补偿膜应力补偿的晶体谐振器，其特征是：至少包括：晶体1，所述的晶体1为圆片形；与圆片形晶体1同心且小于圆片形晶体1的直径有一中心电极2，中心电极2镀膜在晶体1的上下表面上；沿晶体1的直径方向在中心电极2的两侧有延伸层3；两侧的延伸层3各延伸至一个扇形面4，扇形面的中心线5与延伸层3中心线重合；在中心电极上有补偿膜6，补偿膜6为长方形，补偿膜6的长度方向与延伸层3中心线垂直；长方形补偿膜6长度方向定义为x轴；根据晶体的力频特性，当对中心电极2在x轴方向施加压力作用时，会使晶体的频率被抬升，向上偏离标称频率；当对中心电极2的x轴方向施加拉力时，会使晶体的频率被拉低，向下频移标称频率；并且当这个作用力越大时，造成的频率偏移量越大，力的大小和频率偏移量成正比关系；因此，当温度升高且高于室温时，由于补偿膜6的热膨胀系数比中心电极2的大，所以此时补偿膜6的膨胀幅度要比中心电极的大，同理当温度低于室温时，补偿膜6的收缩幅度大于中心电极2的幅度；所述的长方形补偿膜6的对角线长度小于中心电极的直径；所述的补偿膜6两个对角线的交点在中心电极和补偿膜中心7上；所述的补偿膜6的材料是银，中心电极2材料是金；所述的补偿膜6附着于中心电极2上；所述的补偿膜6镀在晶体1的中心区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种采用条形补偿膜应力补偿的晶体谐振器

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