申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-09-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN115549587B

主分类号：H03B5/04

分类号：H03B5/04;H03B5/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.05.12#实质审查的生效;2022.12.30#公开

摘要：本发明实施例提供了一种低闪烁噪声的低温压控振荡器电路、芯片及量子测控系统，在该低闪烁噪声的低温压控振荡器电路中，通过采用双层电感耦合结构和变压器结构，能够同时构建双二次谐波谐振点以及三次谐波谐振点，在低温下谐波调谐技术维持有效，使谐波可准确对齐，进而成功抑制低温闪烁噪声；同时，利用第一差模电容调节电路和第二差模电容调节电路分别实现振荡器频率的细调和粗调，实现宽带低温闪烁噪声的抑制。

主权项：1.一种低闪烁噪声的低温压控振荡器电路，其特征在于，包括：双层电感耦合结构、变压器结构、第一差模电容调节电路、第二差模电容调节电路、第一MOS管以及第二MOS管；其中，所述双层电感耦合结构的上层电感一端耦合至工作电压输入端，下层电感一端通过第一电容耦合至工作电压输入端，上层电感和下层电感的另一端共同耦合至所述变压器结构的中心抽头；所述变压器结构的初级绕组的一端耦合至所述第一MOS管的栅极，其另一端耦合至所述第二MOS管的栅极，次级绕组的一端耦合至所述第一MOS管的漏极，其另一端耦合至所述第二MOS管的漏极；而且，所述变压器结构的初级绕组的中心耦合至第二电压输入端；所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极分别耦合至接地端，所述第一MOS管的漏极耦合至第二电容的一端，所述第二MOS管的漏极耦合至第二电容的另一端；所述第一差模电容调节电路与所述第二差模电容调节电路并联连接，并设置在所述变压器结构的初级绕组的两端之间，用以分别调节接入所述变压器结构的初级绕组的差模电容，进而调节压控振荡器电路的振荡频率；所述双层电感耦合结构由两条叠层设置的金属走线构成，上层金属走线构成所述上层电感，下层金属走线构成所述下层电感，且所述两条叠层设置的金属走线被构造为同一平面内相对称的两个环形结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 低闪烁噪声的低温压控振荡器电路、芯片及量子测控系统

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