申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849939A

主分类号：G02B6/02

分类号：G02B6/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提出一种光纤光栅的刻写方法、装置及光纤光栅，包括确定待刻写光纤光栅的折射率调制区域形状及尺寸；根据待刻写光纤光栅的折射率调制区域尺寸确定飞秒激光的平均功率以及飞秒激光的光束直径；确定待刻写光纤光栅的折射率调制区域在光纤内部的位置，确定折射率调制区域的初始刻写位置；飞秒激光从z轴方向入射并聚焦到待刻写光纤光栅的光纤内部的初始刻写位置，同时控制光纤沿y轴方向匀速移动设定距离，完成单平面的具有所述折射率调制区域形状及尺寸的光纤光栅的刻写。本发明有效提高了逐面刻写光纤光栅的加工效率。

主权项：1.光纤光栅的刻写方法，其特征在于，包括：确定待刻写光纤光栅的光纤，所述光纤的轴向沿x方向水平放置；确定待刻写光纤光栅的折射率调制区域形状及尺寸，所述折射率调制区域形状为矩形矩形，折射率调制区域沿z轴方向长度为l1，y轴方向长度为l2；根据待刻写光纤光栅的折射率调制区域沿z轴方向长度l1确定飞秒激光的平均功率P；根据待刻写光纤光栅的折射率调制区域沿z轴方向长度l1确定飞秒激光的光束直径d；确定待刻写光纤光栅的折射率调制区域在光纤内部的位置，确定折射率调制区域的初始刻写位置；平均功率P、光束直径d的飞秒激光从z轴方向入射并聚焦到待刻写光纤光栅的光纤内部的初始刻写位置，同时控制光纤沿y轴方向匀速移动设定距离l2，完成单平面的具有所述折射率调制区域形状及尺寸的光纤光栅的刻写。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 光纤光栅的刻写方法、装置及光纤光栅

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