申请/专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849947A

主分类号：G02B6/124

分类号：G02B6/124;G02B6/34;G02B5/18;G02B6/12;G02B6/26;G02B27/09

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请涉及一种片上光模场整形的光栅耦合器及制备方法，其包括依次层叠设置的衬底、绝缘层和波导覆盖层；沿着层叠方向，所述波导覆盖层中间隔地设置有光耦合传输层和光模场整形层，且所述光耦合传输层位于所述绝缘层和所述光模场整形层之间；所述光模场整形层包括多个同心布置的环形结构，所述环形结构包括分布成环状的多个折射单元，每一个所述环形结构与所述波导覆盖层位于该环形结构中的部分构成环形单元，且同一个环形结构中的折射单元的折射率相等，在任意相邻的两个环形单元中，位于内侧的环形单元的有效折射率小于位于外侧的环形单元的有效折射率。本申请可以提高平面光信号耦合效率、增大响应带宽，实现大角度的信号发射与接收。

主权项：1.一种片上光模场整形的光栅耦合器，其特征在于，其包括依次层叠设置的衬底1、绝缘层2和波导覆盖层；沿着层叠方向，所述波导覆盖层中间隔地设置有光耦合传输层3和光模场整形层4，且所述光耦合传输层3位于所述绝缘层2和所述光模场整形层4之间；其中，所述光模场整形层4包括多个同心布置的环形结构，所述环形结构包括分布成环状的多个折射单元40，每一个所述环形结构与所述波导覆盖层位于该环形结构中的部分构成环形单元8，且同一个环形结构中的折射单元40的折射率相等，在任意相邻的两个环形单元8中，位于内侧的环形单元8的有效折射率小于位于外侧的环形单元8的有效折射率。

全文数据：

权利要求：

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