申请/专利权人：中国人民解放军军事科学院防化研究院

申请日：2024-01-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117839450A

主分类号：B01D69/02

分类号：B01D69/02;B01D69/12;B01D61/00;C02F1/44;G21F9/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提出一种用于净化放射性废水的荷正电纳滤膜及其制备方法，通过PEI基碳点的合成，水相溶液的配制和界面聚合在PTFE支撑层上制得荷正电的纳滤膜。由于PTFE分子中含有大量的碳‑氟键，以PTFE为基底能够抵抗核废水中存在的酸碱性环境和腐蚀性物质的侵蚀，保证纳滤膜的长期稳定运行。通过将PEI基碳点引入聚合反应中，可以在膜表面引入丰富的亲水官能团，提高膜的亲水性，此外PEI基碳点还具有良好的稳定性和抗污染能力，可以增加纳滤膜的使用寿命，并减少清洗和维护频率。此方法得到的膜在保持对放射性核废水中的核素高分离性能的同时，也具有很强的稳定性和抗污染性能；复合纳滤膜在放射性废水处理或其他污水处理领域具有十分重要的现实意义。

主权项：1.一种用于净化放射性废水的荷正电纳滤膜制备方法，其特征在于，所述荷正电纳滤膜制备方法包括如下步骤：S1.将PTFE膜在去离子水中浸泡一定时间，使用去离子水洗净PTFE膜表面，移除PTFE膜上的水滴，制备得到PTFE支撑层；S2.通过溶剂热法制备带正电聚乙烯亚胺基碳点PEI-CDs；S3.配制PEI-CDs水相溶液，随后加入三乙胺TEA和十二烷基硫酸钠SDS，充分混合后，将混合液覆盖在PTFE支撑层表面并沉积一定时间，常温干燥后，将TMC有机溶液覆盖在PTFE支撑层表面，进行界面聚合，随后用正己烷冲洗，去除表面残留的TMC，得到原始荷正电纳滤膜；S4.将原始荷正电纳滤膜进行烘干固化处理，得到薄膜复合荷正电纳滤膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军军事科学院防化研究院 一种用于净化放射性废水的荷正电纳滤膜及其制备方法

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