申请/专利权人：恩智浦美国有限公司

申请日：2023-09-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855151A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L21/56

优先权：["20221005 US 17/938,132"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：公开了具有由电布设盖围封的气腔的功率放大器PA封装，以及用于制造此类功率放大器封装的方法。在实施例中，所述PA封装包括具有封装顶侧表面和封装底侧表面的封装主体。所述封装主体至少部分地由封装基板和接合到所述封装基板的电布设盖限定，从而以密封方式围封气腔。所述电布设盖又包括上盖壁、外围盖侧壁和侧壁嵌入通孔，所述侧壁嵌入通孔包含在所述外围盖侧壁中并且各自基本上在封装高度方向上延伸。射频RF电路系统附接到所述封装基板并且位于气腔内，而顶侧输入输出接口提供于所述上盖壁上并且通过所述电布设盖的所述侧壁嵌入通孔与所述RF电路系统电互连。

主权项：1.一种功率放大器封装，其特征在于，包括：封装主体，其具有封装顶侧表面和在封装高度方向上与所述封装顶侧表面相对的封装底侧表面，所述封装主体包括：气腔；封装基板，其具有界定所述气腔的一部分的填充侧；和电布设盖，其接合到所述封装基板而以密封方式围封所述气腔，所述电布设盖包括：上盖壁，其限定所述封装顶侧表面的至少一部分；外围盖侧壁，其连接到所述上盖壁并且界定所述气腔的周边；以及侧壁嵌入通孔，其包含在所述外围盖侧壁中并且各自基本上在所述封装高度方向上延伸；射频RF电路系统，其附接到所述封装基板的所述填充侧并且位于所述气腔内；以及顶侧输入输出IO接口，其在所述封装顶侧表面上并且通过所述电布设盖的所述侧壁嵌入通孔与所述RF电路系统电互连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦美国有限公司 含有电布设盖的功率放大器封装和其制造方法

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