申请/专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855198A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H01L23/538;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请涉及一种封装结构及其制备方法，包括：第一布线结构层，包括电容以及第一电感条；电感导电柱，位于第一电感条上；绝缘层，覆盖第一布线结构层以及电感导电柱，且暴露电感导电柱的顶端；第二布线结构层，覆盖绝缘层以及电感导电柱的顶端，且包括第二电感条，第二电感条位于电感导电柱的顶端，第二电感条、电感导电柱以及第一电感条形成电感；芯片，贴装于第二布线结构层上；第一塑封层，覆盖芯片。本申请形成第一布线结构层的同时形成电容以及第一电感条，三者均位于前道工艺过程中，将电感导电柱形成在后道封装工艺中，使形成有电容的第一布线结构层以及形成有电感的绝缘层共同作为衬底，进行二次集成，有效缩短工艺步骤。

主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一布线结构层，包括电容以及第一电感条；电感导电柱，位于所述第一电感条上；绝缘层，覆盖所述第一布线结构层以及所述电感导电柱，且暴露所述电感导电柱的顶端；第二布线结构层，覆盖所述绝缘层以及所述电感导电柱的顶端，且包括第二电感条，所述第二电感条位于所述电感导电柱的顶端，所述第二电感条、电感导电柱以及第一电感条形成电感；芯片，贴装于所述第二布线结构层上；第一塑封层，覆盖所述芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏卓胜微电子股份有限公司 封装结构及其制备方法

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