申请/专利权人：瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849067A

主分类号：G01N21/95

分类号：G01N21/95;G01N21/88;G01N21/55;G01N21/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及一种碳化硅衬底中微管缺陷的检测方法，包括以下步骤：S1，准备激光检测仪器；S2，取待检测碳化硅衬底，置于所述样片旋转系统上，利用所述激光检测仪器发射激光，聚焦在碳化硅衬底的上表面和下表面进行扫描，获得碳化硅衬底底面上表面微管缺陷M1、M2的大小和位置，以及下表面的微管缺陷M5的大小和位置；S3，利用所述激光检测仪器发射激光，激光聚焦在碳化硅衬底上表面以下的碳化硅衬底体内进行扫描，获得碳化硅衬底体内的微管缺陷M3、M4的大小和位置；S4，将缺陷形貌M1～M5连接起来，形成微管缺陷的形貌图并输出。该方法可以自动识别碳化硅衬底中的微管缺陷，还能区分碳化硅衬底中的微管缺陷与其它缺陷，具有较好的运用前景。

主权项：1.一种碳化硅衬底中微管缺陷的检测方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，准备激光检测仪器，所述激光检测仪器包含：a激光发射器和偏振器；b反射成像探测器和四象限探测器；c抽真空系统和冷却系统，样片旋转系统和光源移动的轨道系统；d厚度检测器、图像采集设备和图像分析系统，所述图像分析系统根据进行分析，输出表面缺陷分布图；其中，所述偏振器连接所述激光发射器，使得所述激光发射器产生的激光经过偏振器以一定入射角照射在放置在水平载具上的碳化硅衬底；激光经过碳化硅衬底反射出来的激光束信号被所述反射成像探测器和所述四象限探测器收集，信息收集完成后发送到所述图像分析系统，所述图像分析系统结合所述厚度检测器和所述图像采集设备的检测结果，进行图像分析，形成表面缺陷分布图；S2，取待检测碳化硅衬底，置于所述样片旋转系统上，利用所述激光检测仪器发射激光，聚焦在碳化硅衬底的上表面和下表面进行扫描，所述激光发射器发出激光，照射在碳化硅衬底上，激光经过碳化硅衬底的表面和内部会发生反射，所述四象限探测器收集反射信号和反射光斑位置信号，并分析接收的信号，进而识别碳化硅衬底底面上表面微管缺陷M1、M2的大小和位置，以及下表面的微管缺陷M5的大小和位置；其中，微管缺陷M1、M2分别位于某一激光光线的入射线和反射线上，M1是S2步骤扫描上表面的初始阶段，激光透过碳化硅衬底上表面，在碳化硅衬底下表面进行反射，反射信号被缺陷阻挡，所述四象限探测器只接收到上表面反射信号但无法接收到下表面反射信号，形成的黑色缺陷形貌；M2是S2步骤扫描上表面的结束阶段，激光在碳化硅衬底上表面扫描到缺陷，所述四象限探测器无法接收到任何信号，形成的黑色缺陷形貌；M5是S2步骤扫描下表面的初始阶段，激光透过碳化硅衬底上表面，在碳化硅衬底下表面进行反射，反射信号被缺陷阻挡，所述四象限探测器只接收到上表面反射信号但无法接收到下表面反射信号，形成黑色缺陷形貌；S3，利用所述激光检测仪器发射激光，激光聚焦在碳化硅衬底上表面以下的碳化硅衬底体内进行扫描，所述激光发射器发出激光，照射在碳化硅衬底上，激光经过碳化硅衬底表面和内部会发生反射，所述四象限探测器收集反射信号和反射光斑位置信号，并分析接收的信号，进而识别碳化硅衬底体内的微管缺陷M3、M4的大小和位置；其中，微管缺陷M3、M4分别位于某一激光光线的入射线和反射线上，M3是S3步骤扫描的初始阶段，激光透过碳化硅衬底上表面，在碳化硅衬底下表面进行反射，反射信号被缺陷阻挡，所述四象限探测器只接收到上表面反射信号但无法接收到下表面反射信号，形成黑色缺陷形貌，M4是S3步骤扫描的结束阶段，激光透过碳化硅衬底上表面，因被缺陷阻挡无法在下表面进行反射，所述四象限探测器只接收到上表面反射信号但无法接收到下表面反射信号，形成的黑色缺陷形貌；S4，将缺陷形貌M1～M5连接起来，形成微管缺陷的形貌图并输出。

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权利要求：

百度查询： 瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 一种碳化硅衬底中微管缺陷的检测方法

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