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【发明公布】一种电离辐射制备富含氧缺陷钙钛矿材料的方法_南京航空航天大学_202311813886.7 

申请/专利权人:南京航空航天大学

申请日:2023-12-27

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117839708A

主分类号:B01J23/83

分类号:B01J23/83;B01D53/86;B01D53/62;B01J23/26;B01J23/02;B01J23/20;B01J35/39;C01G49/00;C01G37/14;C01G53/00;C01G51/00;C01G23/00;C01G33/00;C01B32/40;B01J37/34

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明公开了一种电离辐射制备富含氧缺陷钙钛矿材料的方法。包括以下步骤:称取一定量的钙钛矿氧化物材料分散于羟基屏蔽剂与去离子水的混合溶液中,超声分散均匀后转移至西林瓶中,鼓入惰性气体除氧后密封,置于电离辐射源旁,制备富含氧缺陷的钙钛矿材料。本发明中所用的电离辐射源包括γ射线源、高能X射线源、加速器源以及核废料或太空辐射源中的一种或几种。并且该反应在常温常压下进行,流程简单,可控性强,催化剂中引入的氧缺陷含量通过调整吸收剂量进行调控,整个过程绿色环保,具有显著的工业化优势,有希望被用来大规模制备富含氧缺陷的钙钛矿材料,在工业领域具有广泛的应用前景。

主权项:1.一种电离辐射制备富含氧缺陷钙钛矿材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:称取钙钛矿氧化物材料分散于羟基屏蔽剂与去离子水的混合溶液中,用超声分散均匀后转移至西林瓶中,鼓入惰性气体除氧后密封,置于电离辐射源旁,制备富含氧缺陷的钙钛矿材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京航空航天大学 一种电离辐射制备富含氧缺陷钙钛矿材料的方法

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