申请/专利权人：浙江能鹏半导体材料有限责任公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845076A

主分类号：C22B47/00

分类号：C22B47/00;C22B9/04;C22B9/02;C22B9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明一种高纯锰的制备方法，将电解锰片在保护气氛下熔融铸成锰锭，然后将锰锭球磨获得锰锭粉，将锰锭粉在空气环境下放置获得氧化锰粉A，将氧化锰粉A在氧化气氛下除杂，获得氧化锰粉B，将氧化锰粉B与碳源在真空环境下进行还原反应获得锰蒸气，锰蒸气冷凝获得金属锰，所得金属锰具有高纯度的特点。

主权项：1.一种高纯的制备方法，其特征在于：将电解锰片在保护气氛下熔融铸成锰锭，然后将锰锭球磨获得锰锭粉，将锰锭粉在空气环境下放置获得氧化锰粉A，将氧化锰粉A在氧化气氛下除杂，获得氧化锰粉B，将氧化锰粉与碳源在真空环境下进行还原反应获得锰蒸气，锰蒸气冷凝获得金属锰。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江能鹏半导体材料有限责任公司 一种高纯锰的制备方法

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