申请/专利权人：西南技术物理研究所

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117848671A

主分类号：G01M11/02

分类号：G01M11/02;H01S3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种晶体热透镜焦距的推定方法，首先对测量端的光斑数据进行测量和修正，使得探测器出光处到聚焦透镜的距离与实际测量距离一致，推导出探测激光器出光处的束腰半径；接着在放入晶体但不进行泵浦的情况下，推导出晶体由于装夹应力或者生长时残余应力产生的固有类透镜焦距；最后在泵浦光照射晶体的情况下，使得经过晶体两侧的探测光的光斑尺寸一致后，由曲率半径公式推导法推导出晶体总的类透镜焦距值，再由组合透镜焦距公式排除晶体由于装夹应力或者生长时残余应力产生的固有类透镜的影响，最终得到晶体的热透镜焦距值。本发明具有较小的测量误差，且适用于任意强弱的晶体热透镜焦距的测量。

主权项：1.一种晶体热透镜焦距的推定系统，其特征在于，包括：半导体激光泵浦源1、准直聚焦透镜组2、45°双色镜3、具有热透镜效应的晶体4、第一银镜5、第二银镜6、探测激光器7、焦距已知的聚焦透镜8、楔形镜9和CMOS光斑探测器10；在所述的具有热透镜效应的晶体4两侧分布设置有45°双色镜3和第一银镜5；在所述45°双色镜3的左侧设置聚焦透镜组2；在所述聚焦透镜组2左侧设置泵浦源1；在所述45°双色镜3的上侧设置焦距已知的聚焦透镜8；在所述焦距已知的聚焦透镜8上侧设置楔形镜9，在楔形镜9下侧放置CMOS光斑探测器10；在所述第一银镜5的下侧设置第二银镜6；在所述第二银镜的左侧设置探测激光器7。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南技术物理研究所 一种晶体热透镜焦距的推定方法

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