申请/专利权人：上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854837A

主分类号：H01B13/00

分类号：H01B13/00;H01B5/14;H01B1/02;H01B1/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请涉及电接触材料技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体。石墨烯铜导体的制备方法，包括：S1在铜基体的表面包覆第一厚度的碳层；S2在表面具备碳层的铜基体上制备多孔镍层；S3在多孔镍层的表面及其孔内表面包覆第二厚度的碳层；S4向多孔镍层浇注熔融的镍液，使镍液的一部分进入多孔镍层的孔，镍液的另一部分形成包覆多孔镍层的表面镍层，同时利用镍液的热量将碳层中的碳分解并融入镍金属；S5以设定降温速率进行降温，将熔入镍金属中的碳析出，以在铜基体的表面形成镍石墨烯混合层，本申请能够提高石墨烯铜导体的使用寿命和导电性。

主权项：1.一种石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，包括：S1在铜基体的表面包覆第一厚度的碳层；S2在表面具备碳层的铜基体上制备多孔镍层；S3在多孔镍层的表面及其孔内表面包覆第二厚度的碳层；S4向多孔镍层浇注熔融的镍液；S5以设定降温速率进行降温，将熔入镍金属中的碳析出，以在铜基体的表面形成镍石墨烯混合层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司 石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体

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