申请/专利权人：扬州杰利半导体有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855041A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06;H01L21/306;H01L21/308

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种具有复合沟槽的高压GPP芯片及制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，扩散；在硅片表面沉积一层磷和硼，形成P+—N—N+结构，并在上下双面分别生长一层二氧化硅氧化膜；步骤S200，一次光刻及氧化膜腐蚀；晶片双面旋涂光刻胶后，在P+区的表面区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，掩模版开槽，其它区域用光阻剂保护，用BOE腐蚀酸将氧化膜去除露出待蚀刻的硅表面；本发明使N区电场展宽区域受划片机械应力影响变小，提升芯片可靠性能力；三次光刻及两次蚀刻，形成所需的沟槽形态，提高电压及产品的可靠性。

主权项：1.一种具有复合沟槽的高压GPP芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，扩散在硅片表面沉积一层磷和硼，形成P+—N—N+结构，并在上下双面分别生长一层二氧化硅氧化膜；步骤S200，一次光刻及氧化膜腐蚀晶片双面旋涂光刻胶后，在P+区的表面区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，掩模版开槽，其它区域用光阻剂保护，用BOE腐蚀酸将氧化膜去除露出待蚀刻的硅表面；步骤S300，一次沟槽蚀刻采用KOH腐蚀液对暴露出来的硅进行第一次蚀刻，形成弧形沟槽一；步骤S400，二次光刻晶片双面旋涂光刻胶后，在第一次蚀刻形成的沟槽中底部光刻出二次待蚀刻区域，掩模版开槽，其它区域用光阻剂保护；步骤S500，二次沟槽蚀刻采用混酸对蚀刻道硅进行第二次蚀刻，蚀刻至P+结深，，形成弧形沟槽二；步骤S600，三次光刻晶片双面旋涂光刻胶后，在第一次，第二次蚀刻形成的沟槽底部光刻出三次待蚀刻区域，掩模版开槽，其它区域用光阻剂保护；步骤S700，三次沟槽蚀刻采用混酸对蚀刻道硅进行第三次蚀刻，蚀刻深度刻至P+结深深度以下，形成弧形沟槽三；步骤S800，通过正常SIPOS-玻璃烧结-LTO-三次黄光-镀镍金工艺，制备完成产品。

全文数据：

权利要求：

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