申请/专利权人：隆扬电子(昆山)股份有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845163A

主分类号：C23C14/02

分类号：C23C14/02;C23C14/35;B22F1/054

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种纳米石墨铜材料的制备方法，将铜材作为基材并选取高纯度石墨靶材；将基材分别放入乙醇、丙酮和去离子水中通过超声波先清洗20min，接着在60℃温度下烘干，最后将其冷却收卷；将基材置于真空腔中，待真空腔中的真空度达到5‑3‑20‑3pa时，先通入一定量的Ar气，使真空腔内的压力为1‑2Pa，在偏压幅值为400‑600V、占空比为30‑60％的条件下，用Ar等离子体溅射基材表面10‑30min，从而去除表面的氧化层；将石墨靶材做为碳源，并通过一对孪生交流对钯和一个直流靶材由非平衡磁控溅射单元控制，其中孪生交流对靶的溅射电流为4‑8A、直流靶的溅射电流为1‑3A，在基底偏压20‑60V、沉积气压为0.5‑1.0Pa的状态溅射在基材上，本发明制备出的石墨铜，导热效果较佳，使用性能大大提高。

主权项：1.一种纳米石墨铜材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：第一步，材料选择：将铜材作为基材并选取高纯度石墨靶材；第二步，基材清洗：将基材分别放入乙醇、丙酮和去离子水中通过超声波先清洗20min，接着在60℃温度下烘干，最后将其冷却收卷；第三步，抗氧化处理：将基材置于真空腔中，待真空腔中的真空度达-到5-3-20-3pa时，先通入一定量的Ar气，使真空腔内的压力为1-2Pa，在偏压幅值为400-600V、占空比为30-60％的条件下，用Ar等离子体溅射基材表面10-30min，从而去除表面的氧化层；第四步，溅射镀膜：将石墨靶材做为碳源，并通过一对孪生交流对钯和一个直流靶材由非平衡磁控溅射单元控制，其中孪生交流对靶的溅射电流为4-8A、直流靶的溅射电流为1-3A，在基底偏压20-60V、沉积气压为0.5-1.0Pa的状态溅射在基材上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 隆扬电子(昆山)股份有限公司 一种纳米石墨铜材料的制备方法

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