申请/专利权人：桂林电子科技大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117848993A

主分类号：G01N21/3586

分类号：G01N21/3586

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及太赫兹频段的传感技术，具体涉及一种高Q值高灵敏度的太赫兹超材料传感器。太赫兹波在光谱学和无损检测中具有广泛的用，然而，传统的太赫兹超材料传感器存在灵敏度不足，Q值过低等问题。为此，本发明提出一种高Q值高灵敏度的太赫兹超材料传感器。本传感器由4层结构组成。基底、具有一定数值的电导率的反射层、第三层为具有一定数值的相对介电常数的介质层和一个或多个金属谐振器，形成金属谐振器‑介质层‑反射层‑基底的结构，可形成吸收率高、灵敏度高和Q值高的吸收型传感器。从而解决太赫兹超材料传感器中灵敏度不足和Q值过低的问题。

主权项：1.一种高Q值高灵敏度的太赫兹超材料传感器包括，其特则在于，包括有：基底、具有一定数值的电导率的反射层、第三层为具有一定数值的相对介电常数的介质层和一个或多个金属谐振器。一个或多个金属谐振器位于顶层，与具有一定相对介电常数的介质层的上端接触；所述具有一定相对介电常数的介质层又位于反射层上端，并于反射层接触；反射层的底端又与金属基底的上端接触。所述的金属谐振器包括一个上开口圆环和四条金属条带。若分上下部分左右两条金属条带的间距相同，若分左右部分上下两条金属条带的间距也相同。圆环顶部形成一个开口置于中心位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桂林电子科技大学 一种高Q值高灵敏度的太赫兹超材料传感器

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