申请/专利权人：重庆大学

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845308A

主分类号：C25D11/34

分类号：C25D11/34;C02F1/14;C02F1/04;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于阵列涂层的多孔金属基蒸发器的制备方法，包括：将多孔金属在电解液中进行阳极氧化后，进行热处理得到基于阵列涂层的多孔金属基蒸发器，其表面获得垂直排列氧化铜纳米棒阵列涂层；其中，在电解液中，阴极与所述多孔金属平行间隔设置；本发明制备方法实现了在多孔金属铜或铜合金表面与微通道内原位生长出高度有序的垂直排列氧化铜纳米棒阵列，可实现多级光反射，增大光吸收，进一步提高光热转换效率，突破了带隙宽度对光吸收的限制。可通过阳极氧化参数调控，可实现均匀且厚度可调的涂层覆盖。本发明还公开了一种基于阵列涂层的多孔金属基蒸发器。

主权项：1.一种基于阵列涂层的多孔金属基蒸发器的制备方法，其特征在于，包括：将多孔金属在电解液中进行阳极氧化后，进行热处理得到所述基于阵列涂层的多孔金属基蒸发器；其中，所述阳极氧化的电压为0.5V～10V，温度为15℃～50℃，时间为10min～120min；以及所述热处理的温度为180℃～300℃，时间为30min～120min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种基于阵列涂层的多孔金属基蒸发器及其制备方法和应用

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