申请/专利权人：硅晶体有限公司

申请日：2020-02-19

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111593401B

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：["20190220 EP 19158315.2"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.01.18#实质审查的生效;2020.08.28#公开

摘要：用于生成至少一个块状SiC单晶2的方法，其中，将至少一个SiC籽晶8放置在生长坩埚3的晶体生长区域5中；并且将SiC源材料6引入到SiC储层区域4，并且通过沉积从SiC生长气相中，生长出块状SiC单晶2。生长坩埚3由绝缘层10围绕，绝缘层10以旋转对称的方式在中央中间纵轴14的方向上轴向延伸，并且具有至少两个绝缘筒体部件19,20；至少两个绝缘筒体部件19,20以一个在另一个内部的方式彼此同心布置，其中绝缘层10在概念上被分成绝缘环段29，绝缘环段29继而在概念上被分成体积元件，并且每个绝缘环段具有平均绝缘环段密度。

主权项：1.一种通过升华生长生成至少一个块状SiC单晶（2；33）的方法，其中，a）在开始生长之前，将至少一个SiC籽晶（8；37）放置在生长坩埚（3；34）的至少一个晶体生长区域（5；36）中，并且将SiC源材料（6）引入到所述生长坩埚（3；34）的SiC储层区域（4；35），b）在生长期间，通过升华所述SiC源材料（6）并且通过将升华的气态组分输送到所述至少一个晶体生长区域（5；36）中，在所述至少一个晶体生长区域（5；36）中产生SiC生长气相（9；38），并且通过从所述SiC生长气相（9；38）中沉积，将具有中央中间纵轴（14）的所述至少一个块状SiC单晶（2；33）生长到所述至少一个SiC籽晶（8；37）上，其中，c）在开始生长之前，所述生长坩埚（3；34）由绝缘层（10；41）围绕，所述绝缘层（10；41）以旋转对称的方式在所述中央中间纵轴（14）的方向上轴向延伸，并且具有至少两个绝缘筒体部件（19、20；42、43、44），其中,c1）所述至少两个绝缘筒体部件（19、20；42、43、44）以一个在另一个内部的方式彼此同心布置，并且所述至少两个绝缘筒体部件（19、20；42、43、44）中的每一个具有在径向上测量的壁厚，c2）所述绝缘层（10；41）在概念上被分成多个绝缘环段（29），所述多个绝缘环段（29）在所述中央中间纵轴（14）的方向上依次轴向布置，c3）所述多个绝缘环段（29）中的每一个继而在概念上被分成多个体积元件（31），所述多个体积元件（31）在切线方向上彼此并排布置，c4）所述多个绝缘环段（29）中的每一个的平均绝缘环段密度（ρM）均关于所有所述至少两个绝缘筒体部件（19、20；42、43、44）的所述壁厚测量所得，并且c5）所述至少两个绝缘筒体部件（19、20；42、43、44）中的每一个在子区域中具有密度差异，所述至少两个绝缘筒体部件（19、20；42、43、44）被挑选且相对于彼此定位的方式，使得上述的所述绝缘环段（29）的每个体积元件（31）的体积元件密度（ρV）与上述的所述绝缘环段（29）的所述平均绝缘环段密度（ρM）相差不超过10％，c6）其中，每个体积元件（31）在轴向上延伸轴向元件长度（H），所述轴向元件长度（H）等于所述绝缘环段（29）的轴向段长度并且所述轴向元件长度（H）不多于50mm，在周向上延伸不多于50mm的外部切向元件长度（L），并且在径向上延伸所述至少两个绝缘筒体部件（19、20、42、43、44）的所有壁厚的总和。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 硅晶体有限公司 块状SiC单晶的生成方法及其生长装置

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