申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2018-03-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN108695350B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20170407 KR 10-2017-0045155"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2018.10.23#公开

摘要：提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。

主权项：1.一种图像传感器，包括：第一浮置扩散区域；第二浮置扩散区域；第一光电转换元件、第二光电转换元件、第三光电转换元件和第四光电转换元件，连接到所述第一浮置扩散区域；第五光电转换元件、第六光电转换元件、第七光电转换元件和第八光电转换元件，连接到所述第二浮置扩散区域；第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，连接到所述第一光电转换元件至所述第八光电转换元件；以及第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极、第四转移栅极、第五转移栅极、第六转移栅极、第七转移栅极和第八转移栅极，分别被配置为控制由所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件、所述第四光电转换元件、所述第五光电转换元件、所述第六光电转换元件、所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件提供的第一信号、第二信号、第三信号、第四信号、第五信号、第六信号、第七信号和第八信号，其中，所述第一转移栅极、所述第二转移栅极、所述第三转移栅极和所述第四转移栅极沿顺时针方向顺序地布置，其中，所述第五转移栅极、所述第六转移栅极、所述第七转移栅极和所述第八转移栅极沿所述顺时针方向顺序地布置，其中，所述第一晶体管、所述第一转移栅极、所述第四转移栅极、所述第三晶体管、所述第五转移栅极和所述第八转移栅极沿第一方向顺序地布置，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管沿垂直于所述第一方向的第二方向顺序地布置，并且其中，所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管沿所述第二方向布置。

全文数据：图像传感器[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2017年4月7日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0045155的优先权，其全部内容通过引用合并于本文。技术领域[0003]本发明构思总体上涉及电子领域，并且更具体地涉及图像传感器。背景技术[0004]图像传感器是将光学图像转换为电信号的传感器。近来，随着计算机产业和通信产业的发展，在数字相机、便携式摄像机、个人通信系统PCS、游戏设备、安全相机和医用微型摄像头等各种领域中，对性能提高的图像传感器的需求日益增加。[0005]图像传感器可以分类为例如电荷耦合器件CCD图像传感器和CMOS图像传感器。在CMOS图像传感器中，可以使用简单的驱动机制，并且可以将信号处理电路集成到单个芯片中，从而实现产品的小型化。而且，CMOS图像传感器可以具有非常低的功耗，因此可以容易地应用于具有有限电池容量的产品。另外，通过使用兼容的CMOS工艺技术可以降低制造成本。因此，随着技术的发展，可以实现高分辨率的CMOS图像传感器在使用中正在迅速增加。[0006]随着半导体器件变得高度集成，图像传感器也变得高度集成。因此，可以包括构成一个单位像素的多个像素和共享像素晶体管的一个单位像素的共享结构可能是有益的。发明内容[0007]本发明构思的各方面可以提供能够通过提供各种像素共享结构来提高集成密度的图像传感器。[0008]本发明构思的各方面还可以提供能够通过为至少一个像素晶体管提供多个晶体管来改善图像传感器的性能的图像传感器。[0009]然而，本发明构思的各方面不限于本文中所阐述的。通过参考以下给出的详细描述，本发明构思的上述和其它方面对于本发明构思所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。[0010]根据本发明构思的一些实施例，提供了图像传感器。该图像传感器可以包括:衬底，包括第一区域、在第一方向上与所述第一区域相邻设置的第二区域、在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域相邻设置的第三区域、以及在所述第二方向上与所述第二区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第三区域相邻设置的第四区域；第一微透镜，设置为在平面视图中与所述第一区域和所述第二区域重叠;第一光电转换元件，设置在所述第一区域的第一像素区域中；第二光电转换元件，设置在所述第二区域的第二像素区域中。所述第一微透镜可以在所述平面视图中至少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠。所述图像传感器还可以包括:第二微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第三区域和所述第四区域重叠;第三光电转换元件，设置在所述第三区域的第三像素区域中；第四光电转换元件，设置在所述第四区域的第四像素区域中。所述第二微透镜可以在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器还可以包括:第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极和第四转移栅极，分别被配置为控制由所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件提供的第一信号、第二信号、第三信号和第四信号的转移;浮置扩散区域，被配置为接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号和所述第四信号中的任一个；以及第一像素晶体管、第二像素晶体管和第三像素晶体管，被配置为执行彼此不同的功能。[0011]所述第一像素晶体管、所述第二像素晶体管和所述第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域中的至少一个中，所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域可以分别设置在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域中，并且所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域可以彼此不同。第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。[0012]根据本发明构思的一些实施例，提供了图像传感器。该图像传感器可以包括:衬底，包括第一区域、在第一方向上与所述第一区域相邻设置的第二区域、在所述第一方向上与所述第二区域相邻设置的第三区域、以及在所述第一方向上与所述第三区域相邻设置的第四区域；第一微透镜，设置为在平面视图中与所述第一区域和所述第二区域重叠；第一光电转换元件，设置在所述第一区域的第一像素区域中；第二光电转换元件，设置在所述第二区域的第二像素区域中。所述第一微透镜可以在所述平面视图中至少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠。所述图像传感器还可以包括：第二微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第三区域和所述第四区域重叠;第三光电转换元件，设置在所述第三区域的第三像素区域中；第四光电转换元件，设置在所述第^区域的第四像素区域中。所述第二微透镜可以在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器还可以包括:第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极和第四转移栅极，分别被配置为控制由所述^一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件提供的第一信号、第二信号、第三信号和第四信号的转移;浮置扩散区域，被配置为接收^述第一信号至所述第四信号中的任一个；以及第一像素晶体管、第二像素晶体管和第^像素晶体管，被配置为执行彼此不同的功能。所述第一像素晶体管、所述第二像^晶体管和所述第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一像素区域、第二像素区域、第三像^区域和第四像素区域中的至少一个中，所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第二像素区域和所述第四像素区域可以分别设置在所述第一区域、所述第二区域;所述第三区域和所述第四区域中，并且所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域可以彼此不同。第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。[0013]根据本发明构思的一些实施例，提供了图像传感器。该图像传感器可以包括:衬底，包括第一光电转换元件、第二光电转换元件、第三光电转换元件和第四光电转换元件；第一微透镜，在平面视图中全少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠；第二微透镜，在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠；以及浮置扩散区域。[0014]该图像传感器还可以包括:第一转移栅极，被配置为控制在所述第一光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移;第二转移栅极，被配置为控制在所述第二光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移;第三转移栅极，被配置为控制在所述第三光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移;第四转移栅极，被配置为控制在所述第四光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移;复位晶体管和驱动晶体管，连接到所述浮置扩散区域；以及选择晶体管，连接到所述驱动晶体管。所述复位晶体管、所述驱动晶体管和所述选择晶体管中的一个可以包括多个晶体管。附图说明_[0015]通过参照附图详细描述示例性实施例，本发明构思的以上和其他方面和特征将变得更清楚，在附图中：[0016]图1是根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的框图；[0017]图2是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的概念图；[0018]图3是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的示例布局图；[0019]图4至图6是根据本发明构思的—些实施例的图3所示布局的电路图；[0020]图7至图9是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的像素晶体管的布置的示例布局图；[0021]图1〇是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的示例布局图；[0022]图11至图13是根据本发明构思的一些实施例的图1〇所示布局的电路图；[0023]图14至图17是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的像素晶体管的布置的示例布局图；[0024]图18A和图18B是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的示例布局图；、一[0025]图19至图21是根据本发明构思的一些实施例的图丨從所不布局的电路图；[0026]图22至图25是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的像素晶体管的布置的示例布局图；[0027]图26是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感，的示例布局图；[0028]图27至图29是根据本发明构思的一些实施例的图26所示布局的电路图；[0029]图30和图31是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的像素晶体管的布置的示例布局图；、^[0030]目32是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感^的示例布局图；[0031]图33至图35是根据本发明构思的一些实施例的图32所示布局的电路图；以及[0032]图36和图37是示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的像素晶体管的布置的示例布局图。具体实施方式[0033]在下文中，将参照图1和2描述根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。[0034]参考图1，根据一些实施例的图像传感器包括有源像素传感器阵列10、行解码器20、行驱动器30、列解码器40、定时发生器50、相关双采样器CDS60、模数转换器ADC70和输入输出缓冲器IO缓冲器80。[0035]有源像素传感器阵列1〇包括二维排列的多个单位像素，并且可以将光信号转换成电信号。有源像素传感器阵列10可以由多个驱动信号驱动，例如从行驱动器30接收的像素选择信号、复位信号和电荷转移信号。由有源像素传感器阵列1〇转换的电信号也可以提供给相关双采样器6〇。[0036]行驱动器30可以根据行解码器20的解码结果提供多个驱动信号以驱动有源像素传感器阵列10的多个单位像素。当单位像素以矩阵形式布置时，可以为每行提供驱动信号。定时发生器50可以向行解码器20和列解码器40提供定时信号和控制信号。相关双采样器CDS60可以接收、保持并采样由有源像素传感器阵列10产生的电信号。相关双采样器60可以对电信号的特定噪声电平和信号电平进行双采样，以输出与噪声电平和信号电平之间的差相对应的差分电平。模数转换器（ADC70可以将与从相关双采样器60输出的差分电平相对应的模拟信号转换为数字信号并输出数字信号。输入输出缓冲器80可以锁存数字信号，并且根据列解码器40的解码结果顺序地将锁存的信号作为数字信号输出到图像信号处理器未示出）。[0037]参考图2,例如外围电路区域II可以是图1的相关双采样器60、模数转换器70等可以形成的区域。传感器阵列区域I可以是例如形成图1的有源像素传感器阵列10的区域。在一些实施例中，外围电路区域II可以形成为如图2所示围绕传感器阵列区域I，但是本发明构思不限于此。[0038]在下文中，将参照图1至图9描述根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。为了说明的简洁和清楚，可能省略重复的描述。[0039]图3、图4、图5和图6是示出图2的传感器阵列区域I的一个单位像素的视图。[0040]参照图2和图3,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括单位像素，该单位像素包括设置在衬底100中的第一、第二、第三和第四区域R1、R2、R3和R4。多个单位像素可以布置在图2的传感器阵列区域I中，每个单位像素可以包括图3的第一、第二、第三和第四区域R1、R2、R3和R4。在一些实施例中，多个单位像素可以在图2的传感器阵列区域I中沿着第一方向D1和第二方向D2重复布置。第二方向D2可以横穿第一方向D1。在一些实施例中，第二方向可以基本垂直于第一方向D1。这里，单位像素可以包括由第一至第四区域R1至R4共享的第一、第二和第三像素晶体管，将在后面对它们进行描述。在一些实施例中，第一方向D1和第二方向D2是基本平行于衬底表面的水平方向。[OOfl]在一些实施例中，单位像素的第一至第四区域則至财可以如图3所示布置。具体而目，桌一区域R2可以在第一方向D1上与第一区域R1相邻地设置。第三区域；R3可以在第二方向D2上与第一区域R1相邻地设置。第四区域R4可以在第一方向D1上与第三区域r3相邻地设置，并且可以在第二方向D2上与第二区域R2相邻地设置。[0042]仍然参考图3,在一些实施例中，第一微透镜ML1可以设置为在平面视图中与第一区域R1和第二区域R2两者重叠，并且可以在第三方向D3上与第一区域R1和第二区域R2两者间隔开。第三方向D3可以是竖直方向，并且可以基本垂直于第一方向D1和第二方向D2两者。换句话说，第一区域R1和第二区域R2可以共享单个微透镜（g卩，第一微透镜ML1。第一微透镜ML1可以将光提供给第一光电转换元件FD1和第二光电转换元件fD2。[0043]第二微透镜ML2可以设置为在平面视图中与第三区域!?3和第四区域R4两者重叠，并且可以在第三方向D3上与第三区域R3和第四区域R4两者间隔开。[0044]换句话说，第三区域R3和第四区域R4可以共享单个微透镜卿，第二微透镜ML2。第二微透镜ML2可以将光提供给第三光电转换元件pD3和第四光电转换元件PM。[0045]第一区域R1可以包括第一像素区域PR1和第一像素区域LR1。在一些实施例中，第一像素区域PR1和第一像素区域LR1可以彼此不同，因此可以不彼此重叠，如图3所示。第一像素区域PR1可以包括第一光电转换元件PD1和第一转移栅极TG1。在第一像素区域LR1中，可以设置稍后将描述的像素晶体管中的至少一个。然而，本发明构思不限于此。在一些实施例中，第一像素区域LR1中可以不设置像素晶体管。类似于第一区域R1，第二区域R2、第三区域R3和第四区域R4可以分别包括第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4，并分别包括第二像素区域LR2、第三像素区域LR3和第四像素区域LR4，如图3所示。第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4可以分别包括第二光电转换元件PD2、第三光电转换元件PD3和第四光电转换元件ro4,并分别包括第二转移栅极TG2、第三转移栅极TG3和第四转移栅极TG4。在第二至第四像素区域LR2至LR4中，可以设置像素晶体管中的至少一个。然而，本发明构思不限于此，像素晶体管可以不设置在第二至第四像素区域LR2至LR4中的一些区域中。[0046]在一些实施例中，第一微透镜ML1可以至少部分地与第一光电转换元件PD1和第二光电转换元件PD2两者重叠，如图3所示，并且第一微透镜ML1可以在第三方向D3上与第一光电转换元件PD1和第二光电转换元件PD2间隔开。在一些实施例中，第二微透镜ML2可以至少部分地与第三光电转换元件PD3和第四光电转换元件PD4两者重叠，如图3所示，并且第一微透镜ML2可以在第三方向D3上与第三光电转换元件PD3和第四光电转换元件FD4间隔开。虽然图3示出了将单个微透镜设置为与两个光电转换元件重叠，但是本发明构思不限于此。由单个微透镜重叠的光电转换元件的数量可以变化，例如三个、四个、五个、六个或更多个。可以理解的是，在平面视图中，单个微透镜可以与任意数量的光电转换元件重叠。[0047]第一至第四光电转换元件PD1、PD2、PD3和PD4可以包括例如光电二极管、光电晶体管、光电门、钉扎光电二极管pro、有机光电二极管0PD、量子点QD及其组合，并且可以响应于入射光而产生和或提供电荷例如电子、空穴）。[0048]第一至第四像素区域PR1至PR4可以分别包括第一至第四转移栅极^丨至了以。虽然图3示出了第一至第四转移栅极^丨至了以分别与第一至第四光电转换元件PD1至PD4接触设置，但是本发明构思不限于此。应该理解，第一至第四转移栅极TG1至TG4可以分别设置在第一至第四区域R1至R4中的任意位置。[0049]仍然参照图3,浮置扩散区域FD可以与第一至第四转移栅极TG1至TG4相邻设置。例如，第一至第四转移栅极TG1至TG4可以分别是第一至第四转移晶体管的栅极，并且浮置扩散区域FD可以是第一至第四转移晶体管冗1至1〇4中的每一个的源极漏极区域。[00S0]—第一至第四转移晶体管TG1至TG4可以共享单个浮置扩散区域。虽然图3作为单个区域示出了与第一至第四转移栅极TG1至TG4相邻设置的浮置扩散区域FD，但是本发明构思不限于此。在一些实施例中，浮置扩散区域ro可以包括四个分离的区域，它们分别与第一至第四转移栅极TG1至TG4相对应，从而与第一至第四转移栅极TG1至TG4相邻。在这种情况下，四个浮置扩散区域可以彼此间隔开，但是它们可以通过布线等彼此电连接以构成浮置扩散区域FD。[0051]参考图3和图4,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL。第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL中的每一个可以设置在第一至第四像素区域LR1至LR4中的至少一个中。在一些实施例中，可以提供多个第一像素晶体管。第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL可以执行不同的功能。[0052]具体地，第一光电转换元件PD1和第二光电转换元件fD2可以通过第一微透镜ML1接收光，并且可以产生第一和第二信号。第一和第二信号可以与响应入射光在第一光电转换元件PD1和第二光电转换元件PD2中产生的电荷例如，光电电荷相对应。在一些实施例中，第一和第二信号可以与入射光的量成正比。此外，第三光电转换元件FD3和第四光电转换元件PD4可以通过第二微透镜ML2接收光，并且可以产生第三和第四信号。第三和第四信号可以与响应入射光在第三光电转换元件PD3和第四光电转换元件PD4中产生的电荷例如，光电电荷相对应。[0053]在一些实施例中，第三光电转换元件PD3和第四光电转换元件PD4可以与入射光的量成正比。第一至第四信号可以通过第一至第四转移栅极TG1至TG4提供给浮置扩散区域FD。在一些实施例中，可以将互补信号分别施加到第一至第四转移栅极呢丨至了以，并且可以根据第一、第二、第三和第四传输控制信号TXl、Tx2、TX3和TX4将第一至第四信号中的任何一个提供给浮置扩散区域FD。[00M]浮置扩散区域FD可以接收由第一光电转换元件PD1至第四光电转换元件PD4产生的第一信号至第四信号中的任一个，并且可以累积地存储所述信号。响应于第一、第二、第三和第四传输控制信号TX1、Tx2、TX3和TX4，第一转移栅极TG1至第四转移栅极TG4可以控制第一信号至第四信号向浮置扩散区域FD的转移。[0055]在图4中，sf可以是可以由浮置扩散区域ro控制以产生输出电压的驱动晶体管。如图4所示，晶体管SF可以电连接到浮置扩散区域FD。晶体管SF可以与位于单位像素外部的电流源例如恒定电流源组合以用作源极跟随器缓冲放大器，可以放大浮置扩散区域FD中的电势变化并且可以产生输出电压Vout。可以将输出电压Vout输出到晶体管SEURG可以是复位晶体管，其可以由复位控制信号RX控制并且可以将浮置扩散区域ro复位到VDD。如图4所示，晶体管RG可以电连接到浮置扩散区域FDoSEL可以是选择晶体管，其漏极节点可以连接到晶体管SF的源极节点，并且晶体管SEL可以由选择信号SX控制并且可以将输出电压Vout输出到与单位像素连接的列线CL。[0056]第一至第四传输控制信号TX1至TX4、复位控制信号RX和选择信号SX可以从图1的行驱动器30输出。[0057]在一些实施例中，包括第一区域R1至第四区域R4的单位像素可以包括多个驱动晶体管SF1和SF2作为多个第一像素晶体管，如图4所示。第二像素晶体管可以是复位晶体管RG，并且第三像素晶体管可以是选择晶体管SEL。[0058]如图4所示，第一像素晶体管SF1和SF2可以彼此并联连接。例如，第一像素晶体管sn和SF2中的每一个的漏极节点可以连接到VDD，并且第一像素晶体管SF1和SF2中的每一个的源极节点可以连接到第三像素晶体管SEL，并且可以由浮置扩散区域FD控制。[0059]在根据本发明构思的一些实施例的图像传感器中，用作驱动晶体管的多个第一像素晶体管SF1和SF2可以设置在第一像素区域LR1至第四像素区域LR4中的至少一个中，由此改善单位像素的像素特性并且改善读取性能，并使单位像素具有强的抗噪声能力。[0060]参照图3和图5,在一些实施例中，包括第一区域R1至第四区域R4的单位像素可以包括多个选择晶体管SEL1和SEL2作为多个第一像素晶体管，如图5所示。第二像素晶体管可以是驱动晶体管SF，并且第三像素晶体管可以是复位晶体管RG。在下文中，将主要描述与参照图3和图4所描述的不同的内容。[0061]如图5所示，第一像素晶体管SEL1和SEL2可以彼此并联连接。例如，第一像素晶体管SEL1和SEL2中的每一个的漏极节点可以连接到第二像素晶体管SF的源极节点，并且第一像素晶体管SEL1和SEL2的源极节点可以分别连接到列线CL1和CL2。此外，第一像素晶体管SEL1和SEL2中的每一个可以由彼此互补的第一选择信号SX1和第二选择信号SX2控制。第一像素晶体管SEL1和SEL2可以将由第二像素晶体管SF产生的输出电压Vout选择性地输出到列线CL1和CL2。在一些实施例中，在同一时间，只有第一像素晶体管SEL1和SEL2中的一个可以输出输出电压Vout。[0062]在根据本发明构思的一些实施例的图像传感器中，用作选择晶体管的多个第一像素晶体管SEL1和SEL2可以设置在第一至第四像素区域LR1至LR4中的至少一个中，由此提高进仓binning的灵活性。[0063]参照图3和图6,包括第一至第四区域R1至R4在内的单位像素可以包括多个复位晶体管RG1和RG2作为多个第一像素晶体管，如图6所示。第二像素晶体管可以是驱动晶体管SF，并且第三像素晶体管可以是选择晶体管SEL。在下文中，将主要描述与参照图3和图4所描述的不同的内容。[0064]如图6所示，第一像素晶体管RG1和RG2可以彼此串联连接。例如，第一像素晶体管RG1和RG2中的一个晶体管RG1的漏极节点可以连接到VDD，并且晶体管RG1的源极节点可以连接到第一像素晶体管RG1和RG2中的另一个晶体管RG2的漏极节点。第一像素晶体管RGi和RG2中的另一个晶体管RG2的源极节点可连接到浮置扩散区域FD。此外，第一像素晶体管RG1和RG2中的每一个可以由第一和第二复位控制信号RX1和RX2控制。[0065]在根据本发明构思的一些实施例的图像传感器中，用作复位晶体管的多个第一像素晶体管RG1和RG2可以设置在第一像素区域LR1至第四像素区域LR4中的至少一个中，由此通过增加转换增益来改善图像传感器的灵敏性。’[0066]参照图4至图7,多个第一像素晶体管可以包括第四和第五像素晶体管。例如，第四像素晶体管可以设置在第二像素区域LR2中。此外，第五像素晶体管可以设置在例如第一像素区域LR1或第二像素区域LR2中。[0067]例如，如果第五像素晶体管设置在第一像素区域LR1中，则第五像素晶体管可以是TWl或TR72。在一些实施例中，如果第五像素晶体管设置在第二像素区域LR2中，则TR73和TR74中的一个可以是第四像素晶体管，并且TR7^PTR74中的另一个可以是第五像素晶体管。[0068i例如，如果多个第一像素晶体管是图4所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR71，并且第五像素晶体管SF2可以是TR73。例如，如果多个第一像素晶佯S疋=囹不的选择日日体管SELi和SEL2,则第四像素晶体管SEU可以是TR?1，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR74。例如，如果多个第一像素晶体管是如图6所示的复位晶体管RG1和RG2，则第四像素晶体管RG1可以是TR?3，并且第五像素晶体管RG2可以是TR74。[0069]参照，4、图5、图6和图8,第四像素晶体管可以设置在例如第二像素区域LR2中。第五彳^素晶体管可以设置为例如与第一像素区域LR1的一部分和第二像素区域LR2的一部分重叠。在一些实施例中，第五像素晶体管可以设置为例如与第二像素区域LR2的一部分和第四像素区域LR4的一部分重叠。[0070]如果第五像素晶体管设置为与第一像素区域LR1的一部分和第二像素区域LR2的一部分重叠，则第五像素晶体管可以是TR82。如果第五像素晶体管设置为与第二像素区域LR2的一部分和第四像素区域LR4的一部分重叠，则第五像素晶体管可以是TR84。[0071]例如，如果多个第一像素晶体管是图4所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR81，并且第五像素晶体管SF2可以是TR83。例如，如果多个第一像素晶体管是如图5所示的选择晶体管SEL1和SEL2，则第四像素晶体管SEL1可以是TR83，并且第五像素晶体管SEL2可以是TRS1。例如，如果多个第一像素晶体管是如图6所示的复位晶体管RG1和RG2，则第四像素晶体管RG1可以是TR83，并且第五像素晶体管RG2可以是TR84。[0072]参照图4、图5、图6和图9,第四像素晶体管可以设置在例如第二像素区域LR2中。此外，第五像素晶体管可以设置在例如第二像素区域LR2或第四像素区域LR4中。[0073]例如，如果第五像素晶体管设置在第二像素区域LR2中，则TR91和TR92中的一个可以是第四像素晶体管，并且TR91和TRQ2中的另一个可以是第五像素晶体管。另一方面，如果第五像素晶体管设置在第四像素区域LR4中，则第四像素晶体管可以是TR91和TR92中的任一个，并且第五像素晶体管可以是TR93和TR94中的任何一个。[0074]例如，如果多个第一像素晶体管是图4所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR91，并且第五像素晶体管SF2可以是TR93。例如，如果多个第一像素晶体管是如图5所示的选择晶体管SEL1和SEL2，则第四像素晶体管SEL1可以是TR91，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR94。例如，如果多个第一像素晶体管是如图6所示的复位晶体管RG1和RG2,则第四像素晶体管RG1可以是TR91，并且第五像素晶体管RG2可以是TR92。[0075]在下文中，将参照图2至图6和图10至图17描述根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。为了说明的简洁和清楚，可能省略重复的描述。[0076]图10和图14至图17是示出根据本发明构思的一些实施例的图2的传感器阵列区域I的单个单位像素的视图。[0077]参照图2、图3和图10,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括单位像素，该单位像素包括设置在衬底100中的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八区域R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8。多个单位像素可以布置在图2的传感器阵列区域I中，每个单位像素包括图10的第一至第八区域R1至R8。在这种情况下，多个单位像素可以在图2的传感器阵列区域I中沿第一方向D1和第二方向D2重复布置。[0078]图10中的第一至第四区域R1至R4可以与参照图3所描述的基本相同。[0079]在一些实施例中，第五、第六、第七和第八区域R5、R6、R7和RS可以如图10所示布置在衬底100中。第五区域R5可以在第二方向D2上与第三区域R3相邻地设置。第六区域R6可以在第一方向D1上与第五区域R5相邻地设置，并且可以在第二方向〇2上与第四区域R4相邻地设置。第七区域以可以在第二方向D2上与第五区域R5相邻地设置。第八区域R8可以在第一方向D1上与第七区域R7相邻地设置，并且可以在第二方向02上与第六区域肪相邻地设置。[0080]第三微透镜ML3可以设置为在平面视图中与第五区域R5和第六区域R6两者重叠，并且可以在第三方向D3上与第五区域R5和第六区域R6间隔开。换句话说，第五区域R5和第六区域R6可以共享单个微透镜（S卩，第三微透镜ML3。第三微透镜ML3可以将光提供给第五光电转换元件PD5和第六光电转换元件H6。[0081]第四微透镜ML4可以设置为在平面视图中与第七区域取和第八区域R8两者重叠，并且可以在弟二方向D3上与弟七区域R7和第八区域R8间隔开。换句话说，第七区域R7和第八区域R8可以共享单个微透镜（S卩，第四微透镜ML4。第四微透镜ML4可以将光提供给第七光电转换元件PD7和第八光电转换元件H8。[0082]第五区域R5可以包括第五像素区域PR5和第五像素区域LR5。第五像素区域PR5可以包括第五光电转换元件H5和第五转移栅极T65。在一些实施例中，在第五像素区域LR5中，可以设置上述像素晶体管中的至少一个。然而，本发明构思不限于此。例如，第五像素区域LR5中可以不设置像素晶体管。[0083]类似于第五区域R5,第六至第八区域R6至R8可以分别包括第六、第七和第八像素区域PR6、PR7和PR8以及第六、第七和第八像素区域lR、LR7和LR8。第六至第八像素区域PR6至PR8可以分别包括第六光电转换元件PD6、第七光电转换元件PD7和第八光电转换元件PD8,并分别包括第六转移栅极TG6、第七转移栅极TG7和第八转移栅极TG8。在一些实施例中，在第六至第八像素区域LR6至LR8中，可以设置上述像素晶体管中的至少一个。然而，本发明构思不限于此，像素晶体管可以不设置在第六至第八像素区域LR6至LR8中的一些区域中。在一些实施例中，第五、第六、第七和第八像素区域PR5至PR8可以分别与第五、第六、第七和第八像素区域LR5至LR8不同，并且可以分别不与第五、第六、第七和第八像素区域LR5至LR8重叠。例如，如图10所不，第五像素区域pr5可以不与第五像素区域lr5重叠。[0084]第三微透镜ML3可以至少部分地与第五光电转换元件PD5和第六光电转换元件PD6两者重叠，并且可以在第三方向D3上与第五光电转换元件PD5和第六光电转换元件叩6间隔开。第四微透镜ML4可以至少部分地与第七光电转换元件fD7和第八光电转换元件pD8两者重叠，并且可以在第三方向D3上与第七光电转换元件PD7和第八光电转换元件pD8间隔开。[0085]第五至第八光电转换元件pd5至ro8中的每一个可以与例如第一至第四光电转换元件PD1至PD4中的一个基本相同。[0086]第五至第八像素区域PR5至PRS可以包括第五、第六、第七和第八转移栅极了⑶、TG6、TG7和TG8。虽然图10不出了第五至第八转移栅极TG5至TG8分别与第五至第八光电转换兀件PD5至F*D8接触设置，但是本发明构思不限于此。换句话说，在一些实施例中，第五至第八转移栅极TG5至TG8可以分别设置在第五至第八区域防至R8中的任意位置。[0087]仍然参照图10,浮置扩散区域FD可以包括与第一至第四转移栅极了以至了以相邻设置的第一浮置扩散区域FD1以及与第五至第八转移栅极TG5至TG8相邻设置的第二浮置扩散区域FD2。弟一浮置扩散区域FD1可以是第一至第四转移晶体管中的每一个的源极漏极区域。例如，第五至第八转移栅极TG5至TG8可以分别是第五至第八转移晶体管的栅极，开总弟一仔置T散K塚h'U加」以是苐五至第八转移晶体管TG5至TG8中的每一个的源极漏极区域。[0088]第一浮置扩散区域FD1和第二浮置扩散区域FD2可以彼此电连接。换句话说，第一至第八转移晶体管可以共享浮置扩散区ro。应该理解，当第一扩散区域nn和第二扩散区域fd2彼此电连接时，第一浮置扩散区域FD1和第二浮置扩散区域FD2可以被统一考虑为单个浮置扩散区域FD。[0089]第五和第六光电转换元件PD5和PD6可以通过第三微透镜ML3接收光并且可以产生第五和第六信号，该第五和第六信号可以对应于响应入射光在第五和第六光电转换元件和PD6中产生的光电电荷。在一些实施例中，第五和第六信号可以与入射光的量成正比。第七和第八光电转换元件PD7和PD8可以通过第四微透镜ML4接收光，并且可以产生第七和第八信号，该第七和第八信号可以对应于响应入射光而产生的光电电荷。在一些实施例中，第七和第八信号可以与入射光的量成正比。[0090]第一至第八信号可以通过第一至第八转移栅极TG1至TG8提供给浮置扩散区域FD。在此情况下，可以将互补信号分别施加到第一至第八转移栅极TG1至TG8，并且可以根据第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八传输控制信号TXi、TX2、TX3、TX4、TX5、TX6、TX7和TX8将第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八信号中的任一个提供给浮置扩散区域ro。浮置扩散区域ro可以接收由第一光电转换元件ro1至第八光电转换元件PD8产生的第一信号至第八信号中的任一个，并且可以累积地存储所述信号。[0091]在以下描述中，图11至图I3中的像素晶体管SF、SEL和RG可以与参考图4至图6讨论的像素晶体管SF、SEL和RG基本相同。[0092]参考图10和图11，根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL。第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL中的每一个可以设置在第一至第八像素区域LR1至LR8中的至少一个中。[0093]在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括两个驱动晶体管SF1和SF2作为多个第一像素晶体管。[0094]参照图10和图I2,在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括两个选择晶体管SEL1和SEL2作为多个第一像素晶体管。[0095]参照图10和图I3,在一些实施例中，包括第一区域則至第八区域R8在内的单位像素可以包括两个复位晶体管RG1和RG2作为多个第一像素晶体管。[0096]在一些实施例中，多个第一像素晶体管可以包括第四像素晶体管和第五像素晶体管。参照图11至图14,第四像素晶体管可以设置在例如第一像素区域LR1或第五像素区域LR5中。第五像素晶体管可以设置在例如第二像素区域LR2、第五像素区域LR5和第六像素区域LR6中的任一个中。例如，如果第四像素晶体管设置在第一像素区域LR1中，则第四像素晶体管可以是TR141。在这种情况下，第五像素晶体管可以是例如TR142、TR143和TR144中的任一个。在一些实施例中，当第四像素晶体管设置在第五像素区域LR5中时，第四像素晶体管可以是TR143。在这种情况下，第五像素晶体管可以是TR141、TR142和TR144中的任一个。[0097]例如，如果多个第一像素晶体管是图11所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR141，并且第五像素晶体管SF2可以是TR142。在一些实施例中，第四像素晶体管SF1可以是TR143,并且第五像素晶体管SF2可以是TR144。例如，如果多个第一像素晶体管是如图12所示的选择晶体管SEL1和SEL2,则第四像素晶体管SEL1可以是TR141，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR142。在一些实施例中，第四像素晶体管seli可以是TRlj3,并且第五像素晶体管SEL2可以是TR142。例如，如果多个第一像素晶体管是如图13所示的复位晶体管RG1和RG2，则第四像素晶体管RG1可以是TR141，并且第五像素晶体管RG2可以是TR142。在一些实施例中，第四像素晶体管RG1可以是TR141，并且第五像素晶体管RG2可以是TR143。[0098]参照图11至图13和图I5,第四像素晶体管可以设置在例如第四像素区域LR4中。此外，第五像素晶体管可以设置在例如第四像素区域LR4或第六像素区域LR6中。例如，第四像素晶体管可以是TR151。第五像素晶体管可以是TR152、TR153和TR154中的任一个。[00"]例如，如果多个第一像素晶体管是图11所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR1S1，并且第五像素晶体管SF2可以是TR152。例如，如果多个第一像素晶体管是如图12所示的选择晶体管SEL1和SEL2,则第四像素晶体管SEL1可以是TR151，并且第五像素晶体管SEL2可以是TRK4。例如，如果多个第一像素晶体管是如图13所示的复位晶体管RG1和RG2,则第四像素晶体管RG1可以是TR151，并且第五像素晶体管RG2可以是TR152。[0100]虽然图11、图12和图13示出为每种类型提供两个像素晶体管，但这仅仅是为了便于描述和说明，并且本发明构思不限于此。例如，参照图16，多个第一像素晶体管还可以是第六像素晶体管，并且因此可以包括第四、第五和第六像素晶体管。例如，如果多个第一像素晶体管是驱动晶体管，则第四至第六像素晶体管可以分别是TR163、TR164和TR165。在这种情况下，第四至第六像素晶体管可以彼此并联连接。此外，参考图17,如果多个第一像素晶体管是驱动晶体管，则第四至第六像素晶体管可以是TR17UTR172和TR173。[0101]在下文中，将参照图2至图10、图18A、图18B和图19至图25描述根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。为了说明的简洁和清楚，可能省略重复的描述。[0102]图18A、图18B和图22至图25是示出图2的传感器阵列区域I的单个单位像素的视图。[0103]参照图2、图3、图10、图18A和图18B，图10中的第一至第四区域R1至R4可以与参照图3所描述的基本相同。[0104]在一些实施例中，第五、第六、第七和第八区域R5、R6、R7和R8可以如图18A所示布置在衬底100中。第五区域R5可以在第一方向D1上与第二区域R2相邻地设置。第六区域R6可以在第一方向D1上与第五区域R5相邻地设置。第七区域R7可以在第一方向D1上与第四区域R4相邻地设置，并且可以在第二方向D2上与第五区域R5相邻地设置。第八区域R8可以在第一方向D1上与第七区域R7相邻地设置，并且可以在第二方向D2上与第六区域R6相邻地设置。[0105]第五至第八区域R5至R8中包括的组件可以与参照图10所描述的基本相同。[0106]在一些实施例中，单个滤色器CF可以设置在第一至第八区域R1至R8与第一至第四微透镜ML1至ML4之间。[0107]例如，参照图18B，图18B中的第一至第八区域R1至R8可以与图18A所示的图像传感器的单位像素R1至R8基本相同。在图18B中，如果包括图18A所示的图像传感器的第一至第八区域R1至RS的单位像素称为第一单位像素，则包括第九至第十六区域的至町6的第二单位像素可以在第二方向D2上与第一单位像素相邻设置。而且，包括第十七至第二十四区域R17至R24的第三单位像素可以在第一方向D1上与第一单位像素相邻设置。此外，包括第二十五至第三十二区域R25至R：32的第四单位像素可以在第一方向D1上与包括第九至第十六区域R9至Rie的第二单位像素相邻设置。第二至第四单位像素中的每一个可以与第一单位像素基本相同。[0108]第一至第四单位像素中的每一个可以包括驱动晶体管、复位晶体管和选择晶体管中的至少一种类型的多个晶体管。[0109]在一些实施例中，单个滤色器可以设置在第一至第八区域則至狀与第一至第四微透镜ML1至ML4之间，并且可以称为第一滤色器CF1。也就是说，第一至第八区域ri至Rg可以共享第一滤色器CF1。在一些实施例中，作为单个滤色器的第二滤色器CF2可以设置在第九至第十六区域R9至R16与第五至第八微透镜ML5至MLS之间。也就是说，第九至第十六区域R9至R16可以共享第二滤色器CF2。此外，作为单个滤色器的第三滤色器CF3可以设置在第十七至第二十四区域R17至R24与第九至第十二微透镜ML9至ML12之间。也就是说，第十七至第二十四区域R17至R24可以共享第三滤色器CF3。此外，作为单个滤色器的第四滤色器CF4可以设置在第二十五至第三十二区域R25至R32与第十三至第十六微透镜ML13至ML16之间。也就是说，第二十五至第三十二区域R25至R32可以共享第四滤色器CF4。[0110]第一至第四滤色器CF1至CF4可以分别通过不同的颜色。然而，本发明构思不限于此。例如，将理解，第一至第四滤色器CF1至CF4中的一些可以通过相同的颜色。例如，第一滤色器CF1可以是使基于蓝色的颜色通过的滤色器。第二和第三滤色器CF2和CF3可以是使基于绿色的颜色通过的滤色器。第四滤色器CF4可以是使基于红色的颜色通过的滤色器。[0111]本发明构思不限于图18A和18B中的滤色器CF1、CF2、CF3、CF4的形状，而仅仅是示意性表示的。可以应用各种形状的滤色器。_2]图19至图21中的像素晶体管SF、SEL和RG可以与参考图4至图6描述的像素晶体管SF、SEL和RG基本相同。[0113]参考图WA和图19,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL。在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括驱动晶体管SF1和SF2作为多个第一像素晶体管。[0114]参照图1M和图20,在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括选择晶体管SEL1和SEL2作为多个第一像素晶体管。[0115]参照图18A和图21，在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括复位晶体管RG1和RG2作为多个第一像素晶体管。[0116]在一些实施例中，多个第一像素晶体管可以包括第四像素晶体管和第五像素晶体管。参照图19至图22,第四像素晶体管可以设置在例如第一像素区域LR1中。第五像素晶体管可以设置在例如第二像素区域LR2或第六像素区域LRe中。例如，第四像素晶体管可以是TR221。第五像素晶体管可以是TR222或TR224。第二和第三像素晶体管之一可以是TR223。[0117]例如，如果多个第一像素晶体管是图I9所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR221，并且第五像素晶体管SF2可以是TR222。例如，如果多个第一像素日日体S疋如图20所不的选择晶体管SEL1和SEL2，则第四像素晶体管SEL1可以是TR221，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR224。例如，如果多个第一像素晶体管是如图2丨所示的复位晶体管RG1和RG2,则第四像素晶体管RG1可以是TR22l，并且第五像素晶体管RG2可以是TR222。[0118]参照图19至图21和图23,第四像素晶体管可以设置在例如第六像素区域LR6中。第五像素晶体管可以设置为例如与第二像素区域LR2的一部分、第四像素区域11?4的一部分、第五像素区域LR5的一部分以及第七像素区域LR7的一部分重叠。例如，第四像素晶体管可以是TR234。第五像素晶体管可以是TR233。[0119]例如，如果多个第一像素晶体管是如图21所示的复位晶体管RG1和RG2,则第四像素晶体管RG1可以是TR234,并且第五像素晶体管RG2可以是TR233。第二和第三像素晶体管之一可以是TR231。[0120]参照图19至图21和图24,第四和第五像素晶体管可以设置为例如与第二像素区域LR2的一部分和第五像素区域LR5的一部分重叠。在一些实施例中，第四和第五像素晶体管可以设置为例如与第四像素区域LR4的一部分和第七像素区域LR7的一部分重叠。例如，第四像素晶体管可以是TR141，并且第五像素晶体管可以是TRM2。在一些实施例中，第四像素晶体管可以是TR243,并且第五像素晶体管RG2可以是TR244。[0121]例如，如果多个第一像素晶体管是图19所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR243,并且第五像素晶体管SF2可以是TR244。例如，如果多个第一像素晶体管是如图20所示的选择晶体管SEL1和SEL2，则第四像素晶体管SEL1可以是TR241，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR242。例如，如果多个第一像素晶体管是如图21所示的复位晶体管RG1和RG2,则第四像素晶体管RG1可以是TR241，并且第五像素晶体管RG2可以是TR242。[0122]虽然图22至图24示出为每种类型提供两个像素晶体管，但这仅仅是为了便于描述和说明，并且本发明构思不限于此。例如，第一像素晶体管还可以包括第六像素晶体管。第六像素晶体管可以设置在第一至第八像素区域LR1至LR8中的任一个中。例如，参考图25,第四至第六像素晶体管可以分别是TR251、TR252和TR253。第二和第三像素晶体管中的每一个可以是TR254、25f5中之一。在这种情况下，第四至第六像素晶体管可以彼此例如并联或串联连接。[0123]在下文中，将参照图2至图6和图26至图31描述根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。为了说明的简洁和清楚，可能省略重复的描述。图26、图30和图31是示出图2的传感器阵列区域I的单个单位像素的视图。[0124]参照图2、图3和图26,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括单位像素，该单位像素包括设置在衬底100中的第一至第四区域R1至R4。多个单位像素可以布置在图2的传感器阵列区域I中，每个单位像素包括图26的R1至R4。在这种情况下，多个单位像素可以在图2的传感器阵列区域I中沿第一方向D1和第二方向D2重复布置。[0125]在一些实施例中，第一、第二、第三和第四区域R1、R2、R3和R4可以如图26所示布置在衬底100中。第二区域R2可以在第一方向D1上与第一区域R1相邻地设置。第三区域R3可以在第一方向D1上与第二区域R2相邻地设置。第四区域R4可以在第一方向D1上与第三区域R3相邻地设置。图26中的第一至第四区域R1至R4中包括的组件可以与参照图3所描述的基本相同。[0126]图27至图29中的像素晶体管SF、SEL和RG可以与参考图4至图6描述的像素晶体管SF、SEL和RG基本相同。[0127]参考图26和图27,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL。[0128]在单位像素包括第一至第四区域R1至R4的一些实施例中，多个第一像素晶体管可以是图27中的作为驱动晶体管的SF1和SF2。[0129]参照图26和图28,在一些实施例中，包括第一区域幻至第四区域R4的单位像素可以包括选择晶体管SEL1和SEL2作为多个第一像素晶体管。[0130]参照图26和图29,在一些实施例中，包括第一区域R1至第四区域R4的单位像素可以包括复位晶体管RG1和RG2作为多个第一像素晶体管。[0131]参照图26至图3〇,多个第一像素晶体管中的第四像素晶体管可以设置在例如第一像素区域LR1或第三像素区域LR3中。多个第一像素晶体管中的第五像素晶体管可以设置在例如第二像素区域LR2或第四像素区域LR4中。例如，第四像素晶体管可以是TR301或TR303。第五像素晶体管可以是例如TR302或TR304。[0132]例如，如果多个第一像素晶体管是图27所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR301，并且第五像素晶体管SF2可以是TR302。例如，如果多个第一像素晶体管是如图28所示的选择晶体管SEL1和SEL2,则第四像素晶体管SEL1可以是TR301，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR304。例如，如果多个第一像素晶体管是如图29所示的复位晶体管RG1和RG2,则第四像素晶体管RG1可以是TR303,并且第五像素晶体管RG2可以是TR304。[0133]参照图26至图四和图31，多个第一像素晶体管中的第四像素晶体管可以设置为例如与第三像素区域LR3的一部分和第四像素区域LR4的一部分重叠。多个第一像素晶体管中的第五像素晶体管可以设置为例如与第一像素区域LR1的一部分和第二像素区域LR2的一部分重叠。在一些实施例中，第五像素晶体管可以设置为例如与第二像素区域LR2的一部分和第三像素区域LR3的一部分重叠。如果第五像素晶体管设置为与第一像素区域LR1的一部分和第二像素区域LR2的一部分重叠，则第五像素晶体管可以是TR311。在此情况下，第四像素晶体管可以是TR313。如果第五像素晶体管设置为与第二像素区域LR2的一部分和第三像素区域LR3的一部分重叠，则第五像素晶体管可以是TR314。在此情况下，第四像素晶体管可以是TR313。第二和第三像素晶体管之一可以是TR312。[0134]例如，如果多个第一像素晶体管是图27所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR^313,并且第五像素晶体管SF2可以是TR311。例如，如果多个第一像素晶体管是如图28所示的选择晶体管SEL1和SEL2，则第四像素晶体管SEL1可以是TR313，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR311。例如，如果多个第一像素晶体管是如图29所示的复位晶体管RG1和RG2，则第四像素晶体管RG丨可以是TR3丨3，并且第五像素晶体管RG2可以是TR314。[0135]在下文中，将参照图2至图6、图10、图26和图32描述根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。为了说明的简洁和清楚，可能省略重复的描述。图32、图36和图37是通过放大图2的传感器阵列区域I的一部分来示出一个单位像素的视图。[0136]参照图2、图3、图10、图26和图32,在根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的包括第一至第八区域R1至R8的单位像素中，所包括的第一至第四区域R1至R4可以与参考图26所描述的基本相同。[0137]在一些实施例中，第五、第六、第七和第八区域R5、R6、R7和R8可以如图32所示布置在衬底100中。第五区域R5可以在第一方向D1上与第四区域R4相邻地设置。第六区域R6可以在第一方向D1上与第五区域R5相邻地设置。第七区域R7可以在第一方向D1上与第六区域R6相邻地设置。第八区域R8可以在第一方向D1上与第七区域R7相邻地设置。第五至第八区域R5至R8中包括的组件可以与参照图1〇所描述的基本相同。[0138]图33至图35中的像素晶体管SF、SEL和RG可以与参考图4至图6描述的像素晶体管SF、SEL和RG基本相同。参考图32和图33,根据本发明构思的一些实施例的图像传感器可以包括第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL。[0139]在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括驱动晶体管SF1和SF2作为多个第一像素晶体管，如图33所示。[0140]参照图32和图34,在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括选择晶体管SEL1和SEL2作为多个第一像素晶体管。[0141]参照图32和图35,在一些实施例中，包括第一区域R1至第八区域R8的单位像素可以包括复位晶体管RG1和RG2作为多个第一像素晶体管。[0142]在一些实施例中，多个第一像素晶体管可以包括第四像素晶体管和第五像素晶体管。[0143]参照图32至图％，第四像素晶体管可以设置为例如与第一像素区域以^的一部分和第二像素区域LR2的一部分重叠。第五像素晶体管可以设置为例如与第三像素区域LR3的一部分和第四像素区域LR4的一部分重叠。例如，第四像素晶体管可以是TR36丨。第五像素晶体管可以是例如TR362。例如，如果多个第一像素晶体管是图33所示的驱动晶体管SF1和SF2,则第四像素晶体管SF1可以是TR361，并且第五像素晶体管SF2可以是TR362。第二和第三像素晶体管中的每一个可以是TR363和TR364中之一。[0144]参照图32至图35和图37,第四像素晶体管可以设置在第三像素区域LR3或第五像素区域LR5中。第五像素晶体管可以设置在第六像素区域LR6中。例如，第四像素晶体管可以是TRW1或TR373。第五像素晶体管可以是TR374。第二和第三像素晶体管之一可以是TR372。[0145]例如，如果多个第一像素晶体管是如图34所示的选择晶体管，则第四像素晶体管SEL1可以是TRWl，并且第五像素晶体管SEL2可以是TR374。例如，如果多个第一像素晶体管是如图35所示的复位晶体管，则第四像素晶体管RG1可以是TR373，并且第五像素晶体管RG2可以是TR374。[0146]虽然已经参考附图描述了第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL的布置，但是这些布置是示例，并且本发明构思不限于此。应该理解，如果第一至第三像素晶体管SF、RG和SEL设置在单位像素中包括的多个像素区域LR1至LR4中，则各种布置是可能的。[0147]虽然已经参考附图描述了多个第一像素晶体管包括两个或三个像素晶体管的情况，但是本发明构思不限于此。例如，应该理解，第一像素晶体管可以包括多于四个像素晶体管。另外，在图3、图7至图10、图14至图18B、图22至图26、图3〇至图32、图36和图37中，每个组件的形状仅用于布局的图示，可以不示出实际组件的形状。因此，应该理解，本发明构思不限于附图中所示的组件的形状和布置。[0148]如本文所用，术语“和或”包括关联列出的一个或更多个项目的任意和所有组合。[0149]尽管已经参考本发明构思的示例性实施例示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的=况下，可以对其进行形式和细节上的多种改变。因此，期望本实施例在所有方面被认为是说明性的而不是限制性的，参考所附权利要求而不是前述描述来表示所要求保护的范围。

权利要求：1.一种图像传感器，包括：衬底，包括第一区域、在第一方向上与所述第一区域相邻设置的第二区域、在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域相邻设置的第三区域、以及在所述第二方向上与所述第二区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第三区域相邻设置的第四区域；第一微透镜，设置为在平面视图中与所述第一区域和所述第二区域重叠；第一光电转换元件，设置在所述第一区域的第一像素区域中；第二光电转换元件，设置在所述第二区域的第二像素区域中，所述第一微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠；第二微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第三区域和所述第四区域重叠；第三光电转换元件，设置在所述第三区域的第三像素区域中；第四光电转换元件，设置在所述第四区域的第四像素区域中，所述第二微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠；第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极和第四转移栅极，分别被配置为控制由所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件提供的第一信号、第二信号、第三信号和第四信号的转移；浮置扩散区域，被配置为接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号和所述第四信号中的任一个;以及第一像素晶体管、第二像素晶体管和第三像素晶体管，被配置为执行彼此不同的功能，所述第一像素晶体管、所述第二像素晶体管和所述第三像素晶体管中的每一个设置在第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域的至少一个中，所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域分别设置在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域中，并且所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域彼此不同，其中所述第一像素晶体管包括多个第一像素晶体管。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底还包括在所述第二方向上与所述第三区域相邻设置的第五区域、在所述第二方向上与所述第四区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第五区域相邻设置的第六区域、在所述第二方向上与所述第五区域相邻设置的第七区域、以及在所述第二方向上与所述第六区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第七区域相邻设置的第八区域，所述图像传感器还包括：第三微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第五区域和所述第六区域重叠；第五光电转换元件，设置在所述第五区域的第五像素区域中；第六光电转换元件，设置在所述第六区域的第六像素区域中，所述第三微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第五光电转换元件和所述第六光电转换元件两者重叠；第四微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第七区域和所述第八区域重叠；第七光电转换元件，设置在所述第七区域的第七像素区域中；第八光电转换元件，设置在所述第八区域的第八像素区域中，所述第四微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件两者重叠；以及第五转移栅极、第六转移栅极、第七转移栅极和第八转移栅极，分别被配置为控制由所述第五光电转换元件、所述第六光电转换元件、所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件提供的第五信号、第六信号、第七信号和第八信号的转移；其中所述第五区域、所述第六区域、所述第七区域和所述第八区域分别包括第五像素区域、第六像素区域、第七像素区域和第八像素区域，并且所述第五像素区域、所述第六像素区域、所述第七像素区域和所述第八像素区域分别与所述第五区域、所述第六区域、所述第七区域和所述第八区域不同，以及_其中所述浮置扩散区域被配置为接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号、所述第四信号、所述第五信号、所述第六信号、所述第七信号和所述第八信号中的任一个。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置在所述第一像素区域或所述第五像素区域中，以及其中所述第五像素晶体管设置在所述第二像素区域、所述第五像素区域和所述第六像素区域的任一个中。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置在所述第四像素区域中，以及其中所述第五像素晶体管设置在所述第四像素区域或所述第六像素区域中。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底还包括在所述第一方向上与所述第二区域相邻设置的第五区域、在所述第一方向上与所述第五区域相邻设置的第六区域、在所述第一方向上与所述第四区域相邻设置的第七区域、以及在所述第二方向上与所述第六区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第七区域相邻设置的第八区域，所述图像传感器还包括：第三微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第五区域和所述第六区域重叠；第五光电转换元件，设置在所述第五区域的第五像素区域中；第六光电转换元件，设置在所述第六区域的第六像素区域中，所述第三微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第五光电转换元件和所述第六光电转换元件两者重叠；第四微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第七区域和所述第八区域重叠；第七光电转换元件，设置在所述第七区域的第七像素区域中；第八光电转换元件，设置在所述第八区域的第八像素区域中，所述第四微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件两者重叠；以及第五转移栅极、第六转移栅极、第七转移栅极和第八转移栅极，分别被配置为控制由所述第五光电转换元件、所述第六光电转换元件、所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件提供的第五信号、第六信号、第七信号和第八信号的转移；其中所述第五区域、所述第六区域、所述第七区域和所述第八区域分别包括第五像素区域、第六像素区域、第七像素区域和第八像素区域，并且所述第五像素区域、所述第六像素区域、所述第七像素区域和所述第八像素区域分别与所述第五像素区域、所述第六像素区域、所述第七像素区域和所述第八像素区域不同，以及其中所述浮置扩散区域被配置为接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号、所述第四信号、所述第五信号、所述第六信号、所述第七信号和所述第八信号的任一个。6.根据权利要求5所述的图像传感器，还包括设置在所述衬底的所述第一区域至所述第八区域与所述第一微透镜至所述第四微透镜之间的单个滤色器。7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置在所述第四像素区域中，以及其中所述第五像素晶体管设置在所述第二像素区域或所述第六像素区域中。8.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置在所述第六像素区域中，以及其中所述第五像素晶体管设置为与所述第二像素区域的一部分、所述第四像素区域的一部分、所述第五像素区域的一部分以及所述第七像素区域的一部分重叠。9.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，以及其中所述第四像素晶体管和所述第五像素晶体管中的每一个设置为与所述第二像素区域的一部分和所述第五像素区域的一部分重叠。10.—种图像传感器，包括：衬底，包括第一区域、在第一方向上与所述第一区域相邻设置的第二区域、在所述第一方向上与所述第二区域相邻设置的第三区域、以及在所述第一方向上与所述第三区域相邻设置的第四区域；第一微透镜，设置为在平面视图中与所述第一区域和所述第二区域重叠；第一光电转换元件，设置在所述第一区域的第一像素区域中；第二光电转换元件，设置在所述第二区域的第二像素区域中，所述第一微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠；第二微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第三区域和所述第四区域重叠；第三光电转换元件，设置在所述第三区域的第三像素区域中；第四光电转换元件，设置在所述第四区域的第四像素区域中，所述第二微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠；第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极和第四转移栅极，分别被配置为控制由所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件提供的第一信号、第二信号、第三信号和第四信号的转移；浮置扩散区域，被配置为接收所述第一信号至所述第四信号的任一个;以及第一像素晶体管、第二像素晶体管和第三像素晶体管，被配置为执行彼此不同的功能，所述第一像素晶体管、所述第二像素晶体管和所述第三像素晶体管的每一个设置在第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域的至少一个中，所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域分别设置在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域中，并且所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域彼此不同，其中所述第一像素晶体管包括多个第一像素晶体管。11.根据权利要求1〇所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置在所述第一像素区域或所述第三像素区域中，以及其中所述第五像素晶体管设置在所述第二像素区域或所述第四像素区域中。12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置为与所述第三像素区域的一部分和所述第四像素区域的一部分重叠，以及其中所述第五像素晶体管设置为与所述第一像素区域的一部分和所述第二像素区域的一部分重叠，或者设置为与所述第二像素区域的一部分和所述第三像素区域的一部分重叠。13.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述衬底还包括在所述第一方向上与所述第四区域相邻设置的第五区域、在所述第一方向上与所述第五区域相邻设置的第六区域、在所述第一方向上与所述第六区域相邻设置的第七区域、以及在所述第一方向上与所述第七区域相邻设置的第八区域，所述图像传感器还包括：第三微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第五区域和所述第六区域重叠；第五光电转换元件，设置在所述第五区域的第五像素区域中；第六光电转换元件，设置在所述第六区域的第六像素区域中，所述第三微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第五光电转换元件和所述第六光电转换元件两者重叠；第四微透镜，设置为在所述平面视图中与所述第七区域和所述第八区域重叠；第七光电转换元件，设置在所述第七区域的第七像素区域中；第八光电转换元件，设置在所述第八区域的第八像素区域中，所述第四微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件两者重叠；以及第五转移栅极、第六转移栅极、第七转移栅极和第八转移栅极，分别被配置为控制由所述第五光电转换元件、所述第六光电转换元件、所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件提供的第五信号、第六信号、第七信号和第八信号的转移；其中所述第五区域、所述第六区域、所述第七区域和所述第八区域分别包括第五像素区域、第六像素区域、第七像素区域和第八像素区域，并且所述第五像素区域、所述第六像素区域、所述第七像素区域和所述第八像素区域分别与所述第五像素区域、所述第六像素区域、所述第七像素区域和所述第八像素区域不同，以及其中所述浮置扩散区域接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号、所述第四信号、所述第五信号、所述第六信号、所述第七信号和所述第八信号的任一个。14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置为与所述第一像素区域的一部分和所述第二像素区域的一部分重叠，以及其中所述第五像素晶体管设置为与所述第三像素区域的一部分和所述第四像素区域的一部分重叠。15.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管，其中所述第四像素晶体管设置在所述第三像素区域或所述第五像素区域中，以及其中所述第五像素晶体管设置在所述第六像素区域中。16.—种图像传感器，包括：衬底，包括第一光电转换元件、第二光电转换元件、第三光电转换元件和第四光电转换元件；第一微透镜，在平面视图中至少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠；_第二微透镜，在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠；浮置扩散区域；第一转移栅极，被配置为控制在所述第一光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移；第二转移栅极，被配置为控制在所述第二光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移；第三转移栅极，被配置为控制在所述第三光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移；_第四转移栅极，被配置为控制在所述第四光电转换元件中产生的电荷向所述浮置扩散区域的转移；复位晶体管和驱动晶体管，连接到所述浮置扩散区域;以及选择晶体管，连接到所述驱动晶体管，其中所述复位晶体管、所述驱动晶体管和所述选择晶体管中的一个包括多个晶体管。17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中所述选择晶体管包括彼此并联连接并分别连接到多条输出线的多个选择晶体管。18.根据权利要求16所述的图像传感器，其中所述复位晶体管、所述驱动晶体管和所述选择晶体管在平面视图中不与所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件以及所述浮置扩散区域重叠。19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件在所述平面视图中沿第一方向布置，_其中所述第一光电转换元件和所述第三光电转换元件在所述平面视图中沿第二方向布置，并且所述第二方向横穿所述第一方向，以及其中所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件在所述平面视图中沿所述第一方向布置，并且所述第二光电转换元件和所述第四光电转换元件在所述平面视图中沿所述第二方向布置。20.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换兀件在所述平面视图中沿第一方向布置。

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