申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2021-10-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114005895B

主分类号：H01L31/028

分类号：H01L31/028;H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXeneAlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXeneAlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。

主权项：1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXeneAlGaN范德瓦尔斯异质结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 光电探测器及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD