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【发明授权】存储器件及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110230606.4 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2021-03-02

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN113362876B

主分类号:G11C16/08

分类号:G11C16/08;G11C16/10;G11C16/14

优先权:["20200527 US 16/884,137"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.09#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开

摘要:一种存储器件,包括至少三个存储器单元的列和耦合到每个存储器单元的源极端子的源极线。源极线驱动器耦合到源极线、电压端子和编程电压源,并且可在编程操作、擦除操作和读取操作之间切换。本发明的实施例还涉及操作存储器件的方法。

主权项:1.一种存储器件,包括:第一存储器单元,包括第一源极漏极端子,第一字线端子和第二源极漏极端子;第二存储器单元,包括第三源极漏极端子,第二字线端子和第四源极漏极端子;第三存储器单元,包括第五源极漏极端子端子,第三字线端子和和第六源极漏极端子;第一字线驱动器;第一字线,耦合到所述第一字线驱动器和所述第一字线端子;第二字线驱动器;第二字线,耦合到所述第二字线驱动器和所述第二字线端子;第三字线驱动器;第三字线,耦合到所述第三字线驱动器和所述第三字线端子;第一源极线驱动器;以及第一源极线,耦合到所述第一源极漏极端子、所述第三源极漏极端子、所述第五源极漏极端子和所述第一源极线驱动器,存储器件控制电路,被配置为:在所述存储器件的编程操作中,闭合所述第一源极线的第一开关以将第一电压施加到所述第一源极线,使得所述第一电压施加至所述第一源极漏极端子、所述第三源极漏极端子和所述第五源极漏极端子;和在所述存储器件的擦除操作中,闭合所述第一源极线的第二开关以将第二电压施加到所述第一源极线,使得所述第二电压施加至所述第一源极漏极端子、所述第三源极漏极端子和所述第五源极漏极端子。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器件及其操作方法

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