申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-05-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113539316B

主分类号：G11C8/12

分类号：G11C8/12;G11C7/06;G11C5/14;G11C11/40

优先权：["20200630 US 63/045,961","20201124 US 17/103,239"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开

摘要：提供了一种存储器电路，包括第一驱动器电路、耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列、第一电流源、被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流的跟踪电路，以及耦合至第一存储器单元列、第一电流源和跟踪电路的脚部电路。本发明的实施例还提供了一种操作存储器电路的方法。

主权项：1.一种存储器电路，包括：第一驱动器电路，其中，所述第一驱动器电路包括：第一放大器，包括第一输入端子、第二输入端子和第一输出端子；和第一晶体管，包括第一栅极、第一漏极，其中所述第一栅极耦合至所述第一输出端子，所述第一漏极耦合至所述第二输入端子；第一存储器单元列，耦合至所述第一驱动器电路；第一电流源；跟踪电路，被配置为跟踪所述第一存储器单元列的泄漏电流，其中，所述跟踪电路包括：第二驱动器电路，并且所述第二驱动器电路包括：第二放大器，包括第三输入端子、第四输入端子和第二输出端子；和第二晶体管，包括第二栅极、第二漏极，其中所述第二栅极耦合至所述第二输出端子，所述第二漏极耦合至所述第四输入端子；以及脚部电路，耦合至所述第一存储器单元列、所述第一电流源和所述跟踪电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器电路及其操作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD