申请/专利权人：深圳航天科技创新研究院

申请日：2021-08-24

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113839557B

主分类号：H02M3/158

分类号：H02M3/158;H02M1/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：本发明提供了一种宽电压范围升压变换拓扑，在耦合电感引入新的绕组L2并使其紧密耦合绕制，得到新拓扑能够适应2倍以上的升压比，适用于宇航电源变换器，同时具备如下优点：输出电流连续且纹波小、二阶控制模型且没有右半平面零点效应、主功率开关管应力低以及效率高。

主权项：1.一种宽电压范围升压变换拓扑，其特征在于：所述升压变换拓扑包括耦合电感L、变压器T、主功率开关管Q1和Q2、二极管D1、D2、D3、D4和D5；其中，耦合电感L由两个紧耦合绕制的绕组L1和L2组成，变压器T由四个紧耦合绕制的绕组T1、T2、T3和T4组成；所述升压变换拓扑的输入端分别与L1的同名端、L2的异名端相连，L1的异名端分别与绕组T3的同名端、T4的异名端相连，L2的同名端与而二极管D1的正极相连；所述输入端还分别与绕组T1的异名端、T2的同名端相连，T1的同名端与二极管D2的正极相连，T2的异名端与二极管D3的正极相连，T3的同名端与二极管D4的正极相连，T4的异名端与二极管D5的正极相连，二极管D1、D2、D3、D4和D5的负极均与所述升压变换拓扑的输出端相连；主功率开关管Q1的漏极与二极管D5的正极相连、源极接地、栅极输入第一驱动控制信号，Q2的漏极与二极管D4的正极相连、源极接地、栅极输入第二驱动控制信号；所述变压器T和耦合电感L的各绕组匝比满足： 通过调节匝比N1，使得所述升压拓扑的升压比达到2倍以上；所述升压拓扑的电压变换公式为：Vout＝Vin·N·D+1-VD其中，Vin为所述升压拓扑的输入电压，Vout为所述升压拓扑的输出电压，VD为二极管D1、D2、D3的正向导通压降；所述二极管D1、D2、D3为大电流能力的功率二极管；所述二极管D4、D5为小电流能力的功率二极管；所述第一驱动控制信号和第二驱动控制信号的工作频率相同，占空比＜50％，且相位相差180°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳航天科技创新研究院 一种宽电压范围升压变换拓扑

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD