申请/专利权人：深圳大学

申请日：2022-06-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114883441B

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本发明公开一种偏振光探测器及其制备方法，所述探测器包括光电转换层和相对设置在光电转换层上的两个电极，两个电极均与光电转换层形成部分接触，两个电极的材料均为PtSe2，光电转换层的材料为单晶SnSe二维纳米片，两个电极与光电转换层接触的部分形成SnSePtSe2异质结。本发明中，在两个电极与光电转换层接触的部分构建了SnSePtSe2异质结作为偏振光探测材料实现光电信号的转换，两个电极与光电转换层未接触的部分作为PtSe2电极实现光生载流子向外电路的转移。本发明采用PtSe2同时作为偏振光探测材料和电极材料，在有效促进光生载流子的分离、增强光电流、提高器件效率的同时不存在电极材料和偏振光探测材料表面功函数失配的问题。

主权项：1.一种偏振光探测器，其特征在于，所述偏振光探测器包括光电转换层和相对设置在所述光电转换层上的两个电极，所述两个电极的材料均为PtSe2，所述光电转换层的材料为单晶SnSe二维纳米片，所述两个电极为两个叉指电极，所述两个叉指电极均包括叉指部，所述两个叉指电极的叉指部与所述光电转换层接触，所述两个叉指电极的叉指部与所述光电转换层接触的部分形成SnSePtSe2异质结；所述两个叉指电极的叉指部的厚度为3~20nm；所述两个叉指电极还包括与所述叉指部相连的根部，所述两个叉指电极的根部与所述光电转换层均不形成接触，所述根部的厚度为21~110nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 一种偏振光探测器及其制备方法

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