申请/专利权人：深圳市山海半导体科技有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117519403B

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本申请涉及一种带隙基准电路以及电子设备。该带隙基准电路包括：电流生成模块，被配置为生成正温度系数电流和负温度系数电流，正温度系数电流和负温度系数电流用于补偿带隙基准电路中晶体管电压随温度变化对应的线性项电流；以及温度补偿模块，包括第一支路和第二支路，温度补偿模块被配置为基于流经第一支路的电流和流经第二支路的电流确定高阶温度补偿电流，高阶温度补偿电流用于补偿晶体管电压随温度变化对应的非线性项电流。本申请公开的带隙基准电路能够自适应的补偿晶体管电压随温度变化对应的非线性项电流，从而获得较低的温度系数。不仅使得带隙基准电路设计简单，成本低，易于集成，而且带隙基准电路输出的参考电压更加稳定，精度更高。

主权项：1.一种带隙基准电路，包括：电流生成模块，被配置为生成正温度系数电流和负温度系数电流，所述正温度系数电流和所述负温度系数电流用于补偿所述带隙基准电路中晶体管电压随温度变化对应的线性项电流；以及温度补偿模块，包括：第一支路，所述第一支路至少包括第一晶体管（301）、第三晶体管（303），所述第一晶体管（301）、所述第三晶体管（303）串联电连接；第二支路，所述第二支路至少包括第二晶体管（302）、第四晶体管（304）、第五晶体管（305）；所述第一晶体管（301）的控制极分别与所述第二晶体管（302）的控制极、所述第一晶体管（301）的第二极电连接，所述第一晶体管（301）的第一极与所述第三晶体管（303）的第二极电连接；所述第三晶体管（303）的控制极分别与所述第四晶体管（304）的控制极、所述第三晶体管（303）的第二极电连接，所述第三晶体管（303）的第一极接地；所述第二晶体管（302）的第一极与所述第四晶体管（304）的第二极电连接，所述第四晶体管（304）的第一极接地；所述第二晶体管（302）的第一极还与所述第五晶体管（305）的控制极电连接，所述第五晶体管（305）的第一极接地；所述第一支路被配置为接收所述正温度系数电流，并基于所述正温度系数电流确定流经所述第一支路的电流；所述第二支路被配置为接收所述负温度系数电流，并至少基于所述正温度系数电流、所述负温度系数电流确定流经所述第二支路的电流；所述温度补偿模块被配置为基于流经所述第一支路的电流和流经所述第二支路的电流确定高阶温度补偿电流，所述高阶温度补偿电流用于补偿所述晶体管电压随温度变化对应的非线性项电流；所述第二支路还包括第十晶体管（310），所述第十晶体管（310）的第一极与供电源电连接，所述第十晶体管（310）的第二极、所述第十晶体管（310）的控制极分别与所述第二晶体管（302）的第二极电连接；所述温度补偿模块还包括：第三支路，所述第三支路包括成对电连接的第十一晶体管（311）和第十二晶体管（312），成对电连接的第十三晶体管（313）和第十四晶体管（314）；其中，所述第十一晶体管（311）的控制极分别与所述第十二晶体管（312）的控制极、所述第十一晶体管（311）的第二极电连接，所述第十一晶体管（311）的第二极与所述第五晶体管（305）的第二极电连接，所述第十一晶体管（311）的第一极与供电源电连接，所述第十二晶体管（312）的第一极与所述供电源电连接；所述第十三晶体管（313）的控制极分别与所述第十四晶体管（314）的控制极、所述第十三晶体管（313）的第二极电连接，所述第十三晶体管（313）的第二极与所述第十二晶体管（312）的第二极电连接，所述第十四晶体管（314）的第二极与电流电压转换模块电连接，所述第十三晶体管（313）的第一极、所述第十四晶体管（314）的第一极接地。

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