申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112151551B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27

优先权：["20190628 KR 10-2019-0078340"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2020.12.29#公开

摘要：一种集成电路装置包括：具有单元区域和互连区域的衬底；以及在衬底上的第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构，第一和第二堆叠结构中的每个包括在单元区域和互连区域中一个接一个交替地堆叠的绝缘层和字线结构，其中，在互连区域中，第一堆叠结构包括贯穿第一堆叠结构的第一虚设沟道孔，第二堆叠结构包括连通地连接到第一虚设沟道孔的第二虚设沟道孔，第二虚设沟道孔贯穿第二堆叠结构，第一虚设沟道孔的最上端的第一虚设上宽度大于第二虚设沟道孔的最上端的第二虚设上宽度。

主权项：1.一种集成电路装置，包括：在衬底上的第一堆叠结构和在所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构中的每个包括在单元区域和互连区域中一个接一个交替地堆叠的多个绝缘层和多个字线结构；以及在所述互连区域中的至少两个导电接触插塞，每个导电接触插塞电连接到所述多个字线结构中的一个，其中，在所述互连区域中：所述第一堆叠结构包括贯穿所述第一堆叠结构的多个第一虚设沟道孔，所述第二堆叠结构包括分别连通地连接到所述多个第一虚设沟道孔的多个第二虚设沟道孔，所述多个第二虚设沟道孔贯穿所述第二堆叠结构，以及所述多个第一虚设沟道孔之中的彼此相邻且其间具有所述至少两个导电接触插塞中接近所述单元区域的一个导电接触插塞的一对第一虚设沟道孔的最上端之间的距离小于所述多个第一虚设沟道孔之中的彼此相邻且其间具有远离所述单元区域的另一个导电接触插塞的另一对第一虚设沟道孔的最上端之间的距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 集成电路装置

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