申请/专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司

申请日：2023-05-24

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116608647B

主分类号：F26B3/02

分类号：F26B3/02;F26B3/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.09.05#实质审查的生效;2023.08.18#公开

摘要：本发明公开了一种氮化硅生坯的干燥方法，涉及氮化硅制备领域，旨在解决干燥质量不高的问题，其技术方案要点：测量初始高度H1，升温速率V1升温，固定时间t，测量生坯高度，数据为H2、H3、H4、…、Hn，生坯高度变化率K1＝H2‑H1t；K2＝H3‑H2t；K3＝H4‑H3t；Kn‑1＝Hn‑Hn‑1t；当Kn‑1＞Kn时，用时T＝nt；升温速率V2升温，记录生坯变化值，生坯在固定时间t内不发生变化，维持温度保温，半小时取出，多次实验，取均值后获得干燥曲线，同批次的生坯采用干燥曲线干燥。本发明的干燥方法能够准确获得干燥温度曲线，干燥效果好，效率高。

主权项：1.一种氮化硅生坯的干燥方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、首先设置初始干燥曲线，起始温度大于室温，将干燥曲线至少设置有两个升温阶段，前段的升温速率为V1，第二段升温速率为V2，保证V1＞V2；S2、然后生坯进入流延机进行干燥，在流延机内安装有激光测距仪用于测量生坯的初始高度H1，然后按照升温速率V1进行升温，并且每间隔固定时间t，测量生坯的高度，获得数据为H2、H3、H4、…、Hn，计算单位时间内生坯高度的变化率K1＝H2-H1t；K2＝H3-H2t；K3＝H4-H3t；Kn-1＝Hn-Hn-1t；当Kn-1＞Kn时，记录用时T＝nt；然后设置升温速率V2进行升温，并继续记录生坯高度变化值，当生坯高度在固定时间t内不发生变化时，维持当前的温度进入保温状态，半小时后取出生坯；S3、重复S1和S2的步骤，进行多次实验，取升温速率V1的均值以及升温速率V2的均值后获得最终干燥曲线，同批次的氮化硅生坯采用该干燥曲线进行干燥。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 一种氮化硅生坯的干燥方法

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